iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領導者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術，專門設計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統（BMS）中關鍵的安全與效率權衡問題。此新平臺為 BMS 放電開關的最重要安全指標——短路耐受能力（SCWC）——設定了業界基準。

電動移動、無人機與專業電動工具中高壓電池組的普及帶來了高風險挑戰：在外部短路事件中防止災難性故障，此時電流可能激增至數千安培。放電 MOSFET 是唯一負責在這些極端條件下隔離電池組的元件。

“在高能量電池組中，耐受性是不可妥協的。傳統 MOSFET 設計被迫在達成超低 RDS(on) 以提高效率，以及承受巨量短路電流所需的結構完整性之間妥協，”iDEAL Semiconductor 設計副總裁 Phil Rutter 博士表示。“SuperQ? 平臺消除了這種妥協。我們的專利細胞結構提供了市場最低的導通電阻，同時具備無可匹敵的安全裕度，讓設計師有信心建構更小、更可靠且成本更低的電池系統。”

1.4倍優異的短路耐受電流

iDEAL Semiconductor 的內部測試證明了 SuperQ 的顯著性能優勢。對 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封裝）與領先競爭對手的直接比較顯示：

SuperQ 元件展現出比其最接近競爭對手高 1.4 倍的短路故障能力。此突破性性能透過專利細胞結構實現，該結構具有更寬的導電區域，在極端壓力下最大化功率密度與結構完整性。

更低的系統成本與更高的可靠性

對于電池組設計師而言，此優異的 SCWC 直接轉化為系統級優勢：

●   元件減少：由于每個 SuperQ 元件可處理顯著更高的短路電流，設計師可使用高達 50% 更少的并聯 MOSFET 以滿足相同的安全要求。

●   成本節省：減少元件數量與復雜度導致物料清單（BOM）總成本大幅降低，并簡化電路板布局。

●   效率：維持 2.5mΩ 的超低 RDS(on) 最小化導通損耗，延長電池運行時間并減少熱管理需求。

SuperQ產品組合現已上市，提供高達 200V 的元件，為從 72V 到超過 144V 的電池平臺提供解決方案。