- ?iDEAL Semiconductor 今日宣布，其 SuperQ? 技術已獲得 AEC-Q101 汽車應用認證，標志著公司向高可靠性市場的重大拓展。iDEAL 首款獲得汽車應用認證并進入量產的產品 iS20M028S1CQ 是一款 200 V 的 MOSFET，其導通電阻 (RDS(on)) 為 25 mΩ，額定溫度為 175°C。SuperQ 代表著硅 MOSFET 的一項突破性進展，在保持硅固有的耐用性和可靠性的同時，可提供卓越的效率、降低開關損耗并增強導通性能。此次認證彰顯了 Supe
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iDEAL SuperQ
- 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據該協議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
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iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
- ?iDEAL半導體，一家專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協議。該協議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進的SuperQ技術的功率器件。SuperQ與傳統超級結架構相比，在效率和性能方面實現了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現代功率系統的需求，同時保持硅的可靠性、成本效益和供應鏈穩健性。在首批基于SuperQ的產品進入量產后，150V MOSFET現已立即可用。這些產品提供領先的導通電阻（RDS(on)）和優異的身形因子（FOM），包括業界最低的開關
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iDEAL Mouser SuperQ 功率器件
- iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性
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iDEAL MOSFET SuperQ
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