全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優的熱性能、系統效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅動、固態斷路器等領域。這款新產品可為這些關鍵系統提供所需的可靠性與性能。

與傳統的250V和300V電壓等級的硅（Si）技術相比，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導通損耗可降低多達50%，這歸功于其導通電阻R(DS(on)隨結溫（Tj）變化的平穩表現。此外，其開關性能指標顯著提升，反向恢復電荷相比傳統技術減少了至少五倍。在系統層面，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ，相較于交錯式兩電平CCM圖騰柱PFC電路，峰值電源效率提升最高可達0.4%，相當于峰值效率下系統損耗減少約15%。

CoolSiC? MOSFET 400 V G2產品組合專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，適用于包括AI服務器電源在內的多種場景

供貨情況

CoolSiC? MOSFET 400V和440V G2產品組合現已上市。