全球功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)軍者英飛凌科技重磅亮相上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia 2025），現(xiàn)場(chǎng)展示了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，特別是在最受關(guān)注的AI服務(wù)器電源新架構(gòu)和汽車功率器件領(lǐng)域的先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案成為全場(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。

此次展會(huì)，英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動(dòng)化出行、AI算力電源等關(guān)鍵領(lǐng)域的最新突破，更以實(shí)際行動(dòng)詮釋了其在推動(dòng)能源轉(zhuǎn)型與智能化發(fā)展方面的技術(shù)引領(lǐng)作用。

PCIM Asia 2025英飛凌展臺(tái)

800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)：系統(tǒng)級(jí)解決方案驅(qū)動(dòng)未來電動(dòng)出行

首先，英飛凌展示了800V SiC主驅(qū)逆變器一站式系統(tǒng)級(jí)解決方案，使用了31種不同類型的英飛凌芯片，展現(xiàn)了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合技術(shù)實(shí)力。該系統(tǒng)可工作在800V高壓平臺(tái)下，輸出高達(dá)750Arms的相電流，采用英飛凌HybridPACK? Drive Gen2 1200V SiC功率模塊，具備優(yōu)異的效率與可靠性，可耐受的最高結(jié)溫達(dá)200°C，滿足電動(dòng)汽車主驅(qū)系統(tǒng)對(duì)高功率密度與高溫穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。

英飛凌800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)

在控制與系統(tǒng)管理方面，該方案集成AURIX? TC49X系列高性能單片機(jī)作為主控，內(nèi)置PPU、CDSP及Hypervisor等功能模塊，實(shí)現(xiàn)了高效運(yùn)算控制與功能安全分區(qū)。同時(shí)，方案搭載了專為逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的OPTIREG?I-PMIC TLE9744電源管理芯片，符合ASIL D功能安全等級(jí)，集成了功能安全邏輯配置模塊與旋轉(zhuǎn)變壓器供電與勵(lì)磁激勵(lì)觸發(fā)功能。電流檢測(cè)部分采用XENSIV?TLE4973系列無磁芯電流傳感器，不僅精度高、集成度高，還避免了傳統(tǒng)傳感器的磁飽和問題，滿足ASIL B功能安全要求。驅(qū)動(dòng)芯片支持原副邊安全信號(hào)輸入，符合高壓加強(qiáng)絕緣標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)英飛凌現(xiàn)場(chǎng)工程師介紹，得益于其中1200V SiC MOSFET的使用，系統(tǒng)能夠在輸出大電流的同時(shí)保持高溫運(yùn)行穩(wěn)定性，有效助力客戶加速樣品測(cè)試與系統(tǒng)驗(yàn)證。

嵌入式碳化硅PCB方案：突破傳統(tǒng)模塊封裝，重構(gòu)系統(tǒng)性能上限

英飛凌工程師介紹，該方案采用新一代1200V G2p SiC技術(shù)，基于S-cell結(jié)構(gòu)，通過特殊PCB工藝，嵌入到PCB板材中，相比傳統(tǒng)模塊方案，能有效降低系統(tǒng)雜散電感，提升開關(guān)速度，從而提升電流出力和工況效率，并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

英飛凌新一代嵌入式碳化硅解決方案

CoolSiC? MOSFET 750V G2：開啟高效功率轉(zhuǎn)換新篇章

展會(huì)期間，英飛凌重點(diǎn)展示的CoolSiC? MOSFET 750V G2，無疑是最受矚目的明星產(chǎn)品之一。

該技術(shù)專為提升汽車和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。據(jù)英飛凌專家介紹，CoolSiC? MOSFET 750V G2在導(dǎo)通電阻（R _DS(on)）上實(shí)現(xiàn)了顯著降低，最低可達(dá)4mΩ，這一數(shù)據(jù)在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。

同時(shí)，該系列產(chǎn)品的性能參數(shù)和品質(zhì)因數(shù)（FOM值）相比第一代產(chǎn)品提升了30%到40%，意味著客戶在使用過程中能夠體驗(yàn)到更低的開關(guān)損耗和更高的系統(tǒng)效率。

“CoolSiC? MOSFET 750V G2技術(shù)的推出，是我們對(duì)高效、高功率密度電源轉(zhuǎn)換解決方案的一次重要升級(jí)。” 英飛凌專家表示，“其極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，使得該系列產(chǎn)品在車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車輔助設(shè)備以及光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。”

尤為值得一提的是，CoolSiC? MOSFET 750V G2系列采用的Q-DPAK頂部散熱封裝，厚度僅為2.3毫米，散熱面積更大，非常適合空間受限但對(duì)散熱要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。

例如，在家用固態(tài)斷路器中，該系列產(chǎn)品能夠作為電子開關(guān)使用，替代傳統(tǒng)的機(jī)械觸點(diǎn)，從而大大提高系統(tǒng)的可靠性和使用壽命。

寬禁帶半導(dǎo)體：英飛凌的全面布局與未來展望

隨著硅基半導(dǎo)體性能逐漸接近理論極限，寬禁帶半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）成為了行業(yè)發(fā)展的新方向。

英飛凌持續(xù)持續(xù)深耕碳化硅技術(shù)多年，今年重點(diǎn)推出了CoolSiC? MOSFET 2025年度最新產(chǎn)品，包括CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊。其中，1200V產(chǎn)品采用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝，能提供更出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度；新一代CoolSiC? MOSFET G2 1400 V經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，適配1000V以上母線電壓，電流承載能力顯著提升，產(chǎn)品最低導(dǎo)通電阻可低至6mΩ，性能指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先，適用于光儲(chǔ)等高功率場(chǎng)景。CoolSiC? MOSFET 碳化硅模塊運(yùn)用到了多種先進(jìn)封裝，從最新的Easy 2C到標(biāo)準(zhǔn)的Econo PACK，再到高壓2300V/3300V XHP，覆蓋從光儲(chǔ)到工業(yè)、及大功率風(fēng)電多種應(yīng)用領(lǐng)域。

英飛凌在此領(lǐng)域有著全面的布局和深厚的積累。除了CoolSiC? MOSFET 系列外，英飛凌還展示了其CoolGaN?氮化鎵系列產(chǎn)品，電壓覆蓋從60V到800V，提供了多種封裝選擇，以滿足不同客戶的需求。

英飛凌氮化鎵CoolGaN?系列

“英飛凌在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)路線是多元化的。” 英飛凌專家介紹道，“我們不僅在碳化硅方面持續(xù)投入研發(fā)，推動(dòng)技術(shù)迭代和產(chǎn)品升級(jí)；同時(shí)也在氮化鎵方面積極探索，通過高度集成的模塊設(shè)計(jì)，為客戶提供更加高效、高頻的電源解決方案。”

在技術(shù)細(xì)節(jié)上，英飛凌通過優(yōu)化溝槽形狀、摻雜工藝等內(nèi)部結(jié)構(gòu)，不斷提升器件的性能和可靠性。例如，在CoolSiC? MOSFET 750V G2中，通過調(diào)整溝槽的形狀和位置，英飛凌成功地在保持甚至提升器件性能的同時(shí)，減小了晶圓尺寸，從而降低了制造成本。

光儲(chǔ)與電動(dòng)汽車充電：創(chuàng)新解決方案助力綠色能源轉(zhuǎn)型

在光儲(chǔ)和電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域，英飛凌同樣展示了其創(chuàng)新實(shí)力。基于CoolSiC? MOSFET的光伏混合逆變器等參考設(shè)計(jì)，充分利用了碳化硅器件的高效率和高功率密度特性，幫助客戶提升系統(tǒng)性能并降低成本。

“在光儲(chǔ)領(lǐng)域，我們不僅提供了高性能的功率器件，還為客戶提供了完整的系統(tǒng)解決方案。” 英飛凌專家表示，“通過優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和散熱設(shè)計(jì)，我們的逆變器產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更長的使用壽命，從而滿足客戶對(duì)高效、可靠光儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。”

在電動(dòng)汽車充電領(lǐng)域，英飛凌推出的新款CoolSiC? MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模塊同樣引人注目。

新一代CoolSiC? MOSFET G2 1200V Easy 2C 系列

該模塊采用創(chuàng)新的耐高溫材料和PressFIT引腳技術(shù)，支持更高電流承載能力并有效降低PCB溫度，滿足電動(dòng)汽車充電樁對(duì)高效、可靠充電解決方案的需求。

AI服務(wù)器電源管理：高效、供電解決方案

英飛凌為AI與數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)提供的全鏈路高性能解決方案

隨著AI算力的激增，電源管理成為了AI服務(wù)器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。

英飛凌在此領(lǐng)域同樣展示了其創(chuàng)新實(shí)力，推出了從電網(wǎng)到AI芯片核心的全價(jià)值鏈高能效電源解決方案。這些解決方案包括電源供應(yīng)單元（PSU）、電池備份單元（BBU）、中間母線轉(zhuǎn)換器（IBC）及負(fù)載點(diǎn)（POL）模塊等，為AI服務(wù)器提供了高效、可靠的供電保障。

“AI服務(wù)器對(duì)電源的要求極高，不僅需要高功率密度，還需要極高的效率和可靠性。” 英飛凌專家介紹道，“我們的8kW PSU評(píng)估板采用了最新的硅、碳化硅和氮化鎵功率器件，實(shí)現(xiàn)了高頻、高效、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換。同時(shí)，英飛凌的4kW BBU評(píng)估板創(chuàng)新地采用了部分功率轉(zhuǎn)換架構(gòu)，大幅降低了BOM成本并提升了系統(tǒng)備份時(shí)長。”

針對(duì)AI板卡熱插拔過程中可能產(chǎn)生的沖擊電流問題，英飛凌還推出了XDP710數(shù)字熱插拔控制器。該控制器通過精確控制MOS管的開關(guān)過程，有效抑制了插拔瞬態(tài)電流，提升了系統(tǒng)可靠性。

結(jié)語：攜手共創(chuàng)可持續(xù)發(fā)展未來

此次PCIM Asia 2025展會(huì)，英飛凌以其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，再次鞏固了其在功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

通過此次專訪，我們深入了解了英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新創(chuàng)新成果和技術(shù)路線。從CoolSiC? MOSFET 750V G2技術(shù)到寬禁帶半導(dǎo)體的全面布局，再到光儲(chǔ)、電動(dòng)汽車充電和AI服務(wù)器電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案，英飛凌正以其實(shí)際行動(dòng)引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展。

“未來，英飛凌將繼續(xù)攜手行業(yè)伙伴，探索更高效、更智能的半導(dǎo)體解決方案。” 英飛凌專家表示，“我們將以技術(shù)賦能低碳化與數(shù)字化發(fā)展，為綠色低碳轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展注入新動(dòng)能，共同創(chuàng)造更加美好的未來。”