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功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊

紫光國(guó)微收購瑞能半導(dǎo)體，發(fā)力功率半導(dǎo)體領(lǐng)域

  • 1月14日晚間，紫光國(guó)微發(fā)布了一份交易預(yù)案，計(jì)劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式，向南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯、建投華科等14名交易方收購瑞能半導(dǎo)100%股權(quán)，并向不超過35名特定投資者發(fā)行股份募集配套資金。公告顯示，此次股份發(fā)行定價(jià)為61.75元/股，不低于定價(jià)基準(zhǔn)日前20個(gè)交易日上市公司股票交易均價(jià)的80%。不過，由于審計(jì)和評(píng)估工作尚未完成，標(biāo)的資產(chǎn)的交易價(jià)格尚未確定。瑞能半導(dǎo)是一家專注于功率半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)，業(yè)務(wù)覆蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝設(shè)計(jì)及模塊封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。公司產(chǎn)品包括晶閘管、
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中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)突破功率半導(dǎo)體封裝材料瓶頸

  • 近日，西安建筑科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院新能源電氣材料與儲(chǔ)能技術(shù)培育團(tuán)隊(duì)提出了一種創(chuàng)新的“分子有序設(shè)計(jì)”策略。利用這種方法，該團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新型環(huán)氧樹脂封裝材料，該材料結(jié)合了超高導(dǎo)熱性和卓越的絕緣性能。該研究發(fā)表在《先進(jìn)功能材料》上，為在極端條件下運(yùn)行的功率器件的可靠性挑戰(zhàn)提供了一種新的解決方案。隨著功率半導(dǎo)體器件的不斷變得更小、更強(qiáng)大，其封裝材料面臨著越來越嚴(yán)格的熱能和電力管理要求。傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱性和高絕緣性，這成為工業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵瓶頸。研究團(tuán)隊(duì)巧妙地選擇有機(jī)分子作為“模板”，在環(huán)氧樹脂體系內(nèi)
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英飛凌PCIM Asia 2025展會(huì)：創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

  • 全球功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)軍者英飛凌科技重磅亮相上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia 2025），現(xiàn)場(chǎng)展示了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，特別是在最受關(guān)注的AI服務(wù)器電源新架構(gòu)和汽車功率器件領(lǐng)域的先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案成為全場(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。此次展會(huì)，英飛凌不僅展示了其在綠色能源、電動(dòng)化出行、AI算力電源等關(guān)鍵領(lǐng)域的最新突破，更以實(shí)際行動(dòng)詮釋了其在推動(dòng)能源轉(zhuǎn)型與智能化發(fā)展方面的技術(shù)引領(lǐng)作用。PCIM Asia 2025英飛凌展臺(tái)800V SiC主驅(qū)逆變器系統(tǒng)：系統(tǒng)級(jí)解決方案驅(qū)動(dòng)未來電動(dòng)出行首先，
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瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構(gòu)的高效電源轉(zhuǎn)換和分配，推動(dòng)下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展。隨著GPU驅(qū)動(dòng)的AI工作負(fù)載日益密集，數(shù)據(jù)中心功耗攀升至數(shù)百兆瓦級(jí)別，現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心亟需兼具能效優(yōu)化與可擴(kuò)展性的電源架構(gòu)。GaN FET開關(guān)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，憑借其更快的開關(guān)速度、更低的能量損耗，及卓越的熱管理性能，正迅速成為關(guān)鍵解決方案。此外，GaN功率器件將推動(dòng)機(jī)架內(nèi)800V直流母線的發(fā)展，在通過DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器支持48V組件復(fù)用的同時(shí)
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韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬片晶圓

  • 碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先。現(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國(guó)首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
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功率半導(dǎo)體，「優(yōu)等生」出列

  • 近年來，新能源汽車、光伏、風(fēng)電等產(chǎn)業(yè)持續(xù)擴(kuò)張，疊加寬禁帶半導(dǎo)體材料等新技術(shù)逐步落地，推動(dòng)功率半導(dǎo)體成為市場(chǎng)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。富士經(jīng)濟(jì)曾在今年 4 月的報(bào)告中寫道：功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在 2024 年受到庫存積壓的打擊。需求預(yù)計(jì)將從 2024 年下半年開始復(fù)蘇，庫存預(yù)計(jì)將在 2025 年下半年恢復(fù)正常。那么如今的功率半導(dǎo)體復(fù)蘇情況如何了？隨著國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體頭部公司業(yè)績(jī)的相繼披露，該市場(chǎng)的走向逐漸明晰。功率半導(dǎo)體公司，誰是優(yōu)等生？上述十家功率半導(dǎo)體公司中，表現(xiàn)最為亮眼的莫過于士蘭微。該公司上半年?duì)I業(yè)收入為 63.36
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中國(guó)挑戰(zhàn)日功率半導(dǎo)體主導(dǎo)權(quán) 日媒：技術(shù)差距僅剩不到3年

  • 日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域長(zhǎng)期占據(jù)一定優(yōu)勢(shì)，但面對(duì)中國(guó)企業(yè)的快速追趕和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 《日經(jīng)亞洲》20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，中國(guó)企業(yè)在硅和碳化硅基板制造方面逐漸建立完整生產(chǎn)能力，利用低廉能源成本和龐大市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，其垂直整合模式也對(duì)日本企業(yè)構(gòu)成挑戰(zhàn)。 盡管形勢(shì)艱難，東芝、羅姆、三菱電機(jī)等日本廠商卻遲遲未能形成統(tǒng)一戰(zhàn)線。業(yè)內(nèi)專家指出，日本與中國(guó)企業(yè)在硅芯片上的技術(shù)差距可能只有一到兩年，在碳化硅上也不超過三年。 日本企業(yè)高估了本土電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展以及自身的全球競(jìng)爭(zhēng)力，必須加速整合以提高成本競(jìng)爭(zhēng)力。功率器件是
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車載電驅(qū)“芯”引擎：RIGOL功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能測(cè)試解決方案解析

  • 功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統(tǒng)Si器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關(guān)速度、高結(jié)溫下同時(shí)承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本，特別適用于車載逆變器、電動(dòng)汽車充電樁、光伏、UPS、儲(chǔ)能及工業(yè)電源等場(chǎng)景。當(dāng)前國(guó)內(nèi)外 SiC產(chǎn)業(yè)鏈加速成熟，主流廠商已推出多款 SiC產(chǎn)品，成本持續(xù)下降，應(yīng)用正呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。圖1 雙脈沖測(cè)試電路功率半導(dǎo)體測(cè)試需求與挑戰(zhàn)功率半
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BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬歐元；氮化鎵工廠可能被改用于光子芯片

  • BelGaN 在比利時(shí)的氮化鎵功率半導(dǎo)體工廠去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報(bào)道，有報(bào)道稱三個(gè)財(cái)團(tuán)有興趣收購該設(shè)施，主要用于光子應(yīng)用。報(bào)道還指出該工廠之前專注于汽車功率器件。報(bào)告稱，關(guān)閉預(yù)計(jì)將使地方當(dāng)局花費(fèi)超過110萬歐元，并補(bǔ)充說，歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報(bào)道中提到的競(jìng)標(biāo)者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

  • 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長(zhǎng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
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詳解IGBT工作原理

  • 大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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動(dòng)態(tài)測(cè)試WBG功率半導(dǎo)體裸片

  • 雙脈沖測(cè)試將在電力電子的未來中發(fā)揮關(guān)鍵作用。電源設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師依靠它來評(píng)估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體在動(dòng)態(tài)條件下的開關(guān)特性。通過評(píng)估開關(guān)期間的功率損耗和其他指標(biāo)，這些測(cè)試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉(zhuǎn)換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動(dòng)采用雙脈沖測(cè)試的是它能夠在設(shè)計(jì)過程的早期評(píng)估最壞情況下工作條件下的電力電子設(shè)備。這有助于降低將來出現(xiàn)不可預(yù)見問題的風(fēng)險(xiǎn)。然而，由于 SiC MOSFET 的開關(guān)速度更快，GaN 功率 FET 的頻率更高，因此基于氮化
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Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion-PW

  • Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機(jī)，通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴(kuò)大其在功率元件應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這種先進(jìn)的解決方案為Pin互連能力設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應(yīng)用中，越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實(shí)現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿足信號(hào)傳輸和機(jī)械固定的要求。功率模塊市場(chǎng)是增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)

  • 2025年2月19日 英國(guó)劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國(guó)展望集團(tuán)（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。             &nbs
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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