電動汽車充電、電池儲能系統，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰，例如，如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性，以及如何優化整體系統性能。為應對這些挑戰，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現更優異的熱性能、更小的系統尺寸，以及更高的可靠性。

該封裝技術支持在 260°C 溫度下進行多達三次回流焊操作，并可在結溫高達 200°C 的條件下實現可靠運行，同時確保出色的峰值電流能力。借助英飛凌.XT 互聯技術，這些器件在嚴苛的應用環境下，依舊可實現更優的熱性能以及更強的機械可靠性。全新 1400 V 電壓等級為更快的開關速度提供了額外裕量，并簡化了過壓保護措施。這有助于降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2，其導通電阻（RDS(on)）等級涵蓋6 至 29 毫歐（mΩ），適用于對高功率密度要求嚴苛的應用場景，例如商用、工程和農用車輛（CAVs）、電動汽車充電以及電池儲能系統。英飛凌還提供采用高爬電距離 TO-247-4 封裝的 CoolSiC? MOSFET 1400 V 系列。該產品組合的RDS(on) 等級范圍為11至38mΩ，其器件同樣適用于光伏等應用場景。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

供貨情況

采用 TO-247PLUS-4 回流焊封裝與 TO-247-4 封裝的 CoolSiC? MOSFET 1400 V G2 系列現已上市。