電壓瞬變抑制 文章 最新資訊
全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET
- Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產(chǎn)
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電壓瞬變抑制介紹
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