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記憶體現(xiàn)貨價續(xù)飆漲 三星RDIMM「尾盤放貨」舒緩有限

作者: 時間:2025-12-03 來源: 收藏

全球存儲器產(chǎn)能持續(xù)吃緊,供應鏈傳出,國際云端服務(CSP)大廠近期已陸續(xù)敲定采購配額,而電子(Samsung Electronics)在內存需求強勁、市場行情處于高檔下,有意于2025年第4季,「適度釋出」部分模組給系統(tǒng)客戶,可望推升季度營運再創(chuàng)新高。

不過,據(jù)了解,此波放貨對象仍以服務器領域為主,部分中小型業(yè)者坦言,整個11月幾乎「一顆都搶不到」,擔憂無緣搶到年底放貨的「尾盤」,對市場價格猛漲陷入焦慮。

2025年11月記憶體現(xiàn)貨價

2025年11月內存在現(xiàn)貨價


11月DRAM、NAND仍雙雙大漲價

根據(jù)11月現(xiàn)貨市場價格表現(xiàn),無論是DRAM或NAND Flash,均呈現(xiàn)大幅度漲價。 值得注意的是,在DDR5連續(xù)兩個月顯著漲價下,DDR4與DDR5同規(guī)格的價差仍持續(xù)拉開,顯示市場供需依然緊俏,讓DDR4 16Gb顆粒在現(xiàn)貨市場價格站上42.5美元天價,單月漲幅逾6成多。

DDR5 16Gb在10月翻倍暴漲后,11月現(xiàn)貨價格依然強勁,漲幅達55%,而DDR4 8Gb主流規(guī)格也延續(xù)了56%高漲幅,而Flash Wafer 512Gb TLC報價,已上漲至9美元,相較于10月大幅調漲80%,相較于2025年2~3月的價格僅3美元,近3季度以來價格已連番跳增達3倍。

尾盤放貨 仍是幾家歡樂幾家愁

隨著存儲價格上漲壓力加劇,供應鏈搶貨氣氛更趨緊張。 業(yè)界傳出,三星電子從11月底~12月初陸續(xù)小量放貨,DDR5 以及DDR4模組將分批陸續(xù)釋出,雖然仍無法滿足市場需求,但比起10月幾乎是完全無貨可拿,年底這一波尾盤放貨,將可望略微紓解各家電子系統(tǒng)業(yè)者的缺貨危機。

據(jù)悉,近來釋出的DDR5 服務器組件價格再度調漲,目前第4季底官價較第3季約上漲了65~70%或以上,相較于原先估計50~60%的幅度,進一步提高。 不過內存市場已成為賣方市場,原廠持續(xù)提高合約價及控制擴產(chǎn),導致市場行情不斷升高。

市場估計,2026年第1季價格可望再調漲20%,雖然單季漲幅較第4季略為趨緩,但在「只求供貨、不求價格」的市場氛圍下,不排除單季漲幅可能上調至30~40%。 供應鏈業(yè)者坦言,在第4季合約價暴漲的壓力下,若是2026年第1季漲幅仍超過2成,恐怕會讓許多客戶大嘆吃不消。

2026年第1季追漲幅度 恐只高不低

另一方面,多家中小型業(yè)者陷入愁云慘澹,上游原廠的供貨排序是以CSP大客戶為優(yōu)先供應,其他中小型服務器客戶雖然采購吃緊,但同樣的LPDDR5產(chǎn)品賣給服務器客戶,比給其他應用客戶的議價差距,達到50~60%。 因此上游原廠勢必優(yōu)先力保服務器應用順利供貨,而其他消費性應用的排序,只能往后遞延。

部分業(yè)者透露,三星在10月停止報價后,雖然11月中下旬重新恢復DRAM顆粒報價,合約價平均漲幅約3~4成,但實際情況是DDR5幾乎無貨可給,導致11月只能持續(xù)消耗庫存,但外面現(xiàn)貨價卻呈現(xiàn)3~5倍跳漲,導致采購成本壓力節(jié)節(jié)升高。

至于NAND Flash價格也不惶多讓,群聯(lián)執(zhí)行長潘健成日前指出,第4季價格幾乎漲了2倍,業(yè)界私下透露,美系NAND大廠價格一變再變,11月報價比起10月上漲達到100~150%,顯見NAND Flash漲勢凌厲,不過也有NAND原廠第4季幾乎沒漲價,但同樣也是無貨可賣。

業(yè)界預期,2026年第1季追漲的幅度可能更高。

受惠于存儲器ASP高漲,近來兩岸有多家存儲器模組廠全年業(yè)績目標都幾乎提前達成,隨著原廠及現(xiàn)貨市場的資源稀少,業(yè)界傾向「放慢出貨節(jié)奏」,采取惜售或選擇性出貨的模式,這仍推使2026年整體存儲器價格,將居高不下。



關鍵詞: 記憶體 三星 RDIMM

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