隨著英偉達（NVIDIA）計劃于2026年3月中旬在GTC大會上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域的競爭正引發(fā)市場高度關(guān)注。據(jù)韓聯(lián)社（Yonhap News）和《韓國經(jīng)濟新聞》（Hankyung）報道，三星有望成為全球首家在農(nóng)歷新年后實現(xiàn)HBM4量產(chǎn)并出貨的廠商，但其初期市場份額預(yù)計僅在25%左右。

《韓國經(jīng)濟新聞》援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，英偉達已于2025年底初步分配了HBM4的采購份額：SK海力士獲得最大份額，約為55%；三星位居第二，占比約25%；美光（Micron）則約占20%。

三星HBM4亮點：性能領(lǐng)先，技術(shù)激進

盡管份額較小，三星正強勢回歸高端內(nèi)存市場。韓聯(lián)社報道稱，三星已提前通過英偉達的質(zhì)量認證，并成功獲得訂單，計劃最早于本月第三周開始大規(guī)模出貨HBM4。

除了率先上市，三星的HBM4還被稱作業(yè)界性能最強。這一飛躍源于一項大膽的技術(shù)組合：采用第六代10納米級（1c）DRAM芯片，并搭配4納米制程的基底裸晶（base die）。

憑借這一組合，三星HBM4的數(shù)據(jù)傳輸速率高達11.7 Gbps，遠超JEDEC標準的8 Gbps——比基準快37%，也比上一代HBM3E（9.6 Gbps）提升22%。

此外，韓聯(lián)社指出，三星HBM4單堆棧內(nèi)存帶寬可達3 TB/s，約為前代產(chǎn)品的2.4倍；通過12層堆疊實現(xiàn)36GB容量；若采用16層堆疊，容量更可進一步提升至48GB。

雙軌戰(zhàn)略：HBM4秀肌肉，主流DRAM賺利潤

三星或許無需過度擔(dān)憂HBM4份額較低。《韓國經(jīng)濟新聞》分析指出，與HBM復(fù)雜的3D封裝不同，主流DRAM制造工藝更簡單、利潤率更高。據(jù)悉，三星的DRAM總產(chǎn)能約為競爭對手的1.2倍。因此，三星采取了一種聰明的策略：一方面通過為英偉達供應(yīng)HBM4展示尖端技術(shù)實力，另一方面仍將重心放在利潤更豐厚的主流DRAM市場。

不過，HBM4的高成本不僅來自封裝。《韓國經(jīng)濟新聞》提到，三星使用的4納米基底裸晶仍屬先進制程，而1c DRAM也是目前最先進的DRAM技術(shù)。相比之下，競爭對手多采用12納米制程基底和1b DRAM，因此三星HBM4面臨更高的生產(chǎn)成本和更大的良率不確定性。

值得注意的是，在AI驅(qū)動的強勁需求下，三星同樣面臨產(chǎn)能瓶頸。報道稱，目前1c DRAM月產(chǎn)能約為7萬片晶圓，僅占三星DRAM總產(chǎn)能的10%。平澤第四生產(chǎn)線（Pyeongtaek Line 4）的擴產(chǎn)正在進行中，但需一年時間才能將月產(chǎn)能提升至約19萬片。

在當前內(nèi)存價格全面上漲（不僅HBM，各類存儲芯片均漲價）的背景下，三星擁有充足的調(diào)配空間，可高效分配其有限產(chǎn)能。

SK海力士與美光的處境

既然三星技術(shù)領(lǐng)先，為何英偉達仍將HBM4最大份額給予SK海力士？《韓國經(jīng)濟新聞》解釋稱，HBM生產(chǎn)周期超過六個月，供應(yīng)商必須提前鎖定產(chǎn)能。此次分配反映了英偉達對各家供應(yīng)商在技術(shù)驗證記錄、HBM4產(chǎn)能準備情況及認證進度等方面的綜合評估。

報道稱，SK海力士近期在英偉達的認證測試中表現(xiàn)強勁。鑒于英偉達今年晚些時候?qū)⒃赩era Rubin中大規(guī)模部署HBM4，選擇產(chǎn)能最大且交付最可靠的SK海力士作為主力供應(yīng)商，是合理之舉。

相比之下，另一家存儲巨頭美光似乎正在掉隊?！俄n國經(jīng)濟新聞》引述市場傳言稱，美光難以向英偉達穩(wěn)定供應(yīng)HBM4，這可能使三星的份額從25%進一步提升至30%。科技媒體TechPowerUp補充指出，美光可能未獲得初始HBM4訂單，但將為英偉達“Vera”系列CPU提供LPDDR5X內(nèi)存，支持高達1.5TB系統(tǒng)內(nèi)存，以此彌補HBM4份額的損失。