就在美光（Micron）剛剛駁斥“HBM4被擱置”的傳聞后，另一家存儲巨頭三星（Samsung）隨即宣布已啟動HBM4的量產(chǎn)，并開始出貨首批商用產(chǎn)品，在這一關(guān)鍵市場中取得先發(fā)優(yōu)勢。根據(jù)其新聞稿，三星利用先進(jìn)的第六代10納米級（1c）DRAM工藝和4納米邏輯芯片制程，從一開始就實現(xiàn)了高良率與峰值性能，無需任何重新設(shè)計。

值得注意的是，三星強(qiáng)調(diào)其HBM4可穩(wěn)定提供11.7 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比目前行業(yè)主流的8 Gbps標(biāo)準(zhǔn)快約46%。這也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了1.22倍。此外，公司表示，HBM4的性能還可進(jìn)一步提升至13 Gbps。

與此同時，單個堆棧的總內(nèi)存帶寬也較HBM3E激增2.7倍，最高可達(dá)3.3 TB/s，進(jìn)一步鞏固了HBM4在高性能計算（HPC）領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

目前，三星已推出12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，容量覆蓋24GB至36GB。展望未來，16層堆疊版本將把容量上限擴(kuò)展至48GB，確保其產(chǎn)品路線圖與客戶需求及開發(fā)節(jié)奏保持同步。

更詳細(xì)的規(guī)格也已披露：據(jù)三星新聞稿，得益于低電壓TSV（硅通孔）技術(shù)和優(yōu)化的電源分配網(wǎng)絡(luò)，HBM4的能效提升40%；同時，其熱阻降低10%，散熱性能較HBM3E提升30%。

HBM4E樣品將于2026年下半年推出，定制版HBM緊隨其后

ZDNet指出，依托這一勢頭，三星電子預(yù)計2026年HBM銷售額將較2025年增長兩倍以上，并正積極擴(kuò)大HBM4產(chǎn)能。

在成功推出HBM4之后，三星表示，HBM4E的樣品計劃于2026年下半年提供給客戶；而定制化HBM（Custom HBM）樣品則將于2027年交付，以滿足客戶的特定規(guī)格需求。

另一方面，據(jù)Tom’s Hardware報道，三星的競爭對手SK海力士（SK hynix）早在2026年1月初的CES 2026展會上就展示了業(yè)內(nèi)首款16-Hi堆疊HBM4內(nèi)存封裝。該公司強(qiáng)調(diào)，其MR-MUF molding（多層樹脂模塑）技術(shù)與HBM4標(biāo)準(zhǔn)支持的2048位接口共同實現(xiàn)了更高密度。據(jù)報道，SK海力士稱其HBM4堆棧運(yùn)行速率達(dá)10 GT/s，比JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)快25%。