隨著整體內(nèi)存價(jià)格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲(chǔ)巨頭的又一個(gè)里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發(fā)布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產(chǎn)能，HBM3E今年仍將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其將在2026年占HBM總出貨量的約三分之二，而HBM4則逐漸獲得市場支持。

SK海力士強(qiáng)調(diào)，隨著英偉達(dá)推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司擴(kuò)展基于ASIC的AI芯片內(nèi)部開發(fā)，HBM3E正日益成為首選記憶。援引瑞銀的言論，公司也表達(dá)了信心，有望成為谷歌最新TPU——v7p和v7e首家HBM3E的供應(yīng)商。

HBM3E/HBM4 雙重策略

SK海力士正采取雙代化策略，在為HBM4做準(zhǔn)備的同時(shí)，保持HBM3E的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。據(jù)公司介紹，去年9月已獲得全球首個(gè)HBM4量產(chǎn)系統(tǒng)，加強(qiáng)了與臺(tái)積電的封裝合作，建設(shè)了青州M15X晶圓廠，并建立了專門的HBM部門、全球人工智能研究中心及全球生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。公司指出，這些舉措使SK海力士有望在2026年前大規(guī)模支持HBM3E和HBM4。

在SK海力士的規(guī)劃中，其清州M15X晶圓廠發(fā)揮著尤為重要的作用。《商業(yè)韓國》稱，公司計(jì)劃于2026年5月完成M15X晶圓的首個(gè)潔凈室建設(shè)，并開始試點(diǎn)運(yùn)營。該工廠是投資超過20萬億韓元的重要生產(chǎn)中心，將生產(chǎn)HBM3E和HBM4。報(bào)道引用的消息還顯示，10nm級(jí)第六代（1c）DRAM線路將用于即將推出的HBM4E。

2026年記憶市場面臨三重挑戰(zhàn)

值得注意的是，SK海力士強(qiáng)調(diào)了2026年的三大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。即使記憶超級(jí)周期仍在繼續(xù)，人們對(duì)價(jià)格、供應(yīng)和地緣政治風(fēng)險(xiǎn)的謹(jǐn)慎態(tài)度也在上升。公司表示，一些分析師和海外媒體警告稱，隨著競爭加劇和產(chǎn)能擴(kuò)張，HBM價(jià)格可能在2026年后進(jìn)入調(diào)整階段。

這一趨勢(shì)與TrendForce的最新研究一致，研究顯示內(nèi)存市場供應(yīng)緊張導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM價(jià)格近期大幅上漲。雖然HBM3E也因GPU和ASIC訂單的上調(diào)而受益，推高了其價(jià)格，但據(jù)TrendForce報(bào)道，HBM3E與DDR5之間的ASP差距預(yù)計(jì)將在2026年持續(xù)顯著縮小。

與此同時(shí)，SK海力士指出，HBM投資的增長正在整個(gè)內(nèi)存市場產(chǎn)生積極的連鎖反應(yīng)。通過將資源投入HBM，標(biāo)準(zhǔn)DRAM的供需平衡正在收緊。公司引用的機(jī)構(gòu)投資者預(yù)計(jì)，服務(wù)器DDR5模塊將在2026年成為DRAM市場的第二大支柱，繼HBM之后。SK海力士補(bǔ)充說，NAND閃存預(yù)計(jì)將在2026年增長，主要由AI數(shù)據(jù)中心的eSSD需求推動(dòng)。