SK海力士美國建廠計劃遭居民抗議,芯片法案項目遇阻
據韓媒abcNEWS援引美國當地媒體Lafayette Journal & Courier報道,SK海力士在美國印第安納州西拉法葉市的半導體工廠投資計劃遭遇當地居民強烈反對。這一項目是美國商務部批準的芯片法案支持項目之一,總投資達38.7億美元,美國政府預計將提供最多4.58億美元的補助。工廠將專注高帶寬存儲器(HBM)封裝與AI用半導體后段制程,預計2028年完工。
工廠選址位于普渡大學北側,由普渡大學研究基金會所有的土地上。自2025年5月重新分區決議通過后,爭議不斷。當地居民對SK海力士的計劃提出多項質疑,認為企業溝通缺乏透明度,且工廠建設可能涉及化學物質與廢水處理問題,對周邊居民健康構成潛在威脅。有市民在公聽會上直言,這不僅是開發議題,更是關乎生命與健康的重要問題。
西拉法葉市長Erin Easter表示,由于土地屬于普渡研究基金會,市政府的干預權限有限。但居民對此并不買賬,批評市府與企業存在密室合作嫌疑,甚至已提起兩起針對市政府與SK海力士的訴訟。市議會內部也出現分歧,有議員認為,居民的擔憂并非空穴來風,若市府無法提出解決方案,沖突將持續升級。
SK海力士承諾,該項目將創造約1,000個直接就業機會和3,000個間接就業機會,被州政府視為“印第安納經濟的轉折點”。然而,對當地居民而言,就業機會并非說服力足夠的理由,許多人認為,犧牲健康與安全的就業毫無意義。
業界分析認為,西拉法葉事件不僅是地方紛爭,更反映了韓國半導體企業在美國市場可能面臨的環境與社區關系挑戰。美國政府雖支持技術投資,但地方社區更關注環境與健康權益,形成利益與價值的沖突局面。




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