存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。

據報道，SK海力士的多點小區（MSC）NAND技術將每個3D NAND小區一分為二，提升每個小區的數據容量，同時將電壓狀態數量減少約三分之二。

Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發的4D 2.0技術。這項創新解決了NAND的一個重大瓶頸——傳統單元在四位（QLC）之外遇到“電壓狀態障礙”。報告補充稱，通過重新設計比特存儲方式，SK海力士現在可以在不犧牲速度和耐久性的情況下，每個單元容納五比特。

破解手機密碼：SK海力士的多點手機模式

報告解釋說，增加更多電壓狀態——即存儲單元可承受的電壓水平以表示數據——會使它們更緊密地分布，縮小感應余距，使它們更難準確區分。簡單來說，在電池中裝入更多比特會加速電池磨損，降低可靠性和耐久性。

報告指出，目前QLC 3D NAND閃存已進入量產階段，但由于讀取可靠性低和壽命較短，五層級單元（PLC）技術尚未商業化。不過，報告顯示PLC極具吸引力，因為它可以將NAND芯片的容量和SSD存儲容量提升多達25%，相比現有的QLC芯片。

因此，SK海力士試圖通過將NAND單元拆分為兩個獨立的“站點”，每個站點電壓狀態較少，并合并這兩個站點的值以存儲更多位來解決瓶頸。

正如報告所述，在SK海力士的框架下，每個半電池（或稱“站點”）有六個電壓狀態。報告指出，通過合并這兩個站點，整個系統產生了36種可能的電壓狀態，足以編碼PLC閃存所需的32種狀態，其中4個狀態未被使用，這使得SK海力士能夠在保持可靠性的同時，每單元存儲5位。