隨著內存供應緊張，行業正將重點轉向面向超大規模企業的高利潤率、前沿產品。傳承、面向消費者的記憶正逐漸走向生命周期末期，2026年將成為關鍵參與者的分水嶺之年。以下是三星、SK海力士和美光如何逐步退出傳統內存市場，轉向英偉達和谷歌等大型科技巨頭的一瞥。

三星：告別DDR4和2D MLC NAND了

盡管市場傳聞顯示內存領導者可能會因價格飆升推遲DDR4的退出，TrendForce指出三星仍堅定地堅持其終止生命周期計劃。因此，DDR4 供應預計在2026年大幅下降，推動每吉比特價格創歷史新高。

與此同時，公司正在逐步擺脫傳統的NAND產品。包括The Elec在內的韓國媒體在2025年中期報道，三星計劃停止MLC NAND閃存的生產。TrendForce指出，三星——曾經最大的供應商——將逐步淘汰MLC NAND產品，預計最終出貨時間為2026年6月。

盡管包括柯西亞、韓國海力士和美光等主要企業也限制了MLC產量以滿足現有客戶需求，趨勢力量預測全球MLC NAND閃存容量預計2026年同比下降41.7%。

據 gameGPU 報道，MLC NAND 生產通常被認為經濟上不可行，需求縮小到專業細分市場。因此，報告指出，LG Display等公司已經在尋找用于OLED面板的MLC替代品，市場正向TLC和QLC轉變。

SK海力士：DDR4輸出，消費級內存完好無損

與三星類似，SK海力士也表示計劃在2026年前淘汰DDR4。然而，《美一財經報》在2025年9月指出，隨著DDR4價格反彈，兩家公司進行了策略調整，SK海力士暫時提升了其中國無錫工廠的產量，該廠配備了大量傳統生產線。

最近，ETnews本月報道稱，SK海力士已完成無錫晶圓廠的重大升級，將設施從1z工藝過渡到更先進的1a節點。報告補充稱，該廠目前每月生產約18萬至19萬片12英寸晶圓，約90%的產能運行于1a。此舉凸顯了SK海力士長期戰略，即摒棄DDR4等傳統DRAM產品，重新聚焦于更先進的內存節點。

另一方面，盡管近期市場傳聞稱SK海力士可能退出消費記憶領域，Wccftech報道稱公司發言人駁斥了這些猜測，強調業務依然完整。

美光：縮減消費內存及中國業務

在前三大存儲器公司中，美光在消費級存儲器市場中表現最為保守，宣布在2025年下半年退出多項業務。

據《南華早報》報道，公司在八月在中國發起新一輪裁員，裁員數百人，作為全球從陷入困境的移動NAND領域撤退的一部分。報告引用的一位公司代表補充稱，美光將因該細分市場財務表現疲軟，停止全球新移動NAND產品的開發。

據中國ESM稱，此次調整主要影響其國內嵌入式團隊以及中國的研發、測試和FAE/AE支持職能。

路透社報道，美光隨后在2023年禁令中斷其產品進入關鍵基礎設施并阻礙恢復后，于十月退出中國服務器芯片市場。不過，報道顯示，公司將繼續向兩家中國客戶提供大陸以外的大型數據中心，包括筆記本電腦制造商聯想。

最新的打擊發生在去年12月，美光宣布退出消費級記憶市場，關閉其Crucial品牌，專注于快速增長市場中最大的戰略客戶供應。正如Tom's Hardware報道，此舉是在公司于2026年2月底結束的財年第二季度之后，標志著生產和投資正向企業級DRAM和SSD轉變，以滿足日益增長的AI需求。

2026年是一個分水嶺，記憶制造商顯然更重視盈利而非廣度。向企業級、以人工智能為核心的產品轉變將重新定義競爭格局——使消費和工業部門不得不應對供應緊張和成本上升。