在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術已成為新的驅動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發HBM4的各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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三星 美光 HBM
不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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美光 進博會 LPDDR5 內存 存儲技術
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴展現實?(XR)?平臺——第二代驍龍? XR2?驗證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優性能和更低功
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美光 低功耗內存 XR2平臺 混合現實 MR 虛擬現實 VR
美光的新一代內存，目前已出貨給數據中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力，并以更高效能輔佐數據中心及客戶端平臺，支持AI訓練及推論、生成式AI、數據分析、內存數據庫等。美光推出的16Gb DDR5內存，以其領先1β制程節點技術，美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT／s，相較于前一代產品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產品，在現有模塊化密度中，速率可達4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數據中心及客戶端應用。
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美光 高速內存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業界領先的1β（1-beta）制程技術應用于16Gb容量版本的 DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM在系統內的速率高達7,200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場的所有客戶出貨。基于1β節點的美光DDR5內存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術[[1]]，相比上一代產品，性能提升高達50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內核數量的不斷增加以滿足數據中心工作負載需求，系統
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美光 1β技術DDR5內存
近日，美光宣布推出適用于數據中心工作負載的7500 NVMe SSD，主要面向數據中心存儲應用，包括了云服務器和企業服務器。美光7500系列產品采用232層3D NAND閃存芯片，該芯片采用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，新技術可以大大減小NAND閃存的芯片尺寸，有助于降低成本據美光介紹，該系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延遲，最大順序讀取速度達7GB/s，寫入5.9GB/s（比競爭對手高出97%），最大隨機讀取1100K IOPS（高出13%），寫入410K IOPS（高出242%）
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美光 7500系列 SSD 數據中心
10月13日消息，美國時間周四，美股收盤主要股指全線下跌。在美股連漲四天后，美國國債收益率上升，9月份通脹報告略高于預期，給市場帶來壓力。道瓊斯指數收于33631.14點，下跌173.73點，跌幅0.51%；標準普爾500指數收于4349.61點，跌幅0.62%；納斯達克指數收于13574.22點，跌幅0.63%。大型科技股多數下跌，蘋果和亞馬遜上漲，漲幅均不到1%。芯片龍頭股多數上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%。新能源汽車熱門普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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英特爾 美光 ARM 芯片
美國半導體巨頭美光透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進口博覽會。據媒體報道，美國半導體巨頭美光10月10日透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進口博覽會。這也是自進博會舉辦以來，美光首次參加該展會。對此，美光方面表示，正在積極準備相關事宜
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美光 進博會
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節點技術，推出 16Gb DDR5 內存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經開始向數據中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 內存
據外媒，當地時間9月23日，美光科技公司位于印度古吉拉特邦薩南德的組裝、測試和封裝工廠 (ATMP) 破土動工，總投資27.5億美元。據了解，今年6月，美光與印度政府簽署關于在古吉拉特邦建廠的諒解備忘錄。9月23日，印度塔塔集團旗下塔塔項目公司宣布將與美光科技合作，建設該先進半導體組裝和測試工廠，并表示該工廠一期工程將很快啟動，預計2024年底投運。古吉拉特邦首席部長布彭德拉·帕特爾在講話時表示：“該公司準備在簽署諒解備忘錄后不到三個月的時間內破紀錄地開始建設。”報道稱，該項目是印度半導體使命（ISM）下
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內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
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美光 DDR5 DRAM
IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態隨機存取記憶體（DRAM
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美光 DRAM
由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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2023年7月26日，上海 —— 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布推出Crucial?英睿達 X9 Pro 移動固態硬盤和Crucial英睿達 X10 Pro 移動固態硬盤。作為Crucial英睿達Pro系列產品線的新成員，這兩款高性能產品專為攝影師、攝像師、設計師等內容創作者或追求高性能的消費者而設計。兩款產品均采用美光TLC NAND，以及革命性的單ASIC移動存儲架構，實現了突破性的超緊湊、輕量化外形
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IT之家 6 月 28 日消息，美國存儲芯片公司美光科技當地時間周三與印度政府簽署了一份諒解備忘錄，將在印度建設一家半導體工廠，這也是該公司在印度的第一家工廠。美光科技表示，將對該工廠投資高達 8.25 億美元（IT之家備注：當前約 59.56 億元人民幣），總投資將達 27.5 億美元（當前約 198.55 億元人民幣）。此外，印度中央政府、古吉拉特邦政府將根據此前出臺支持半導體產業發展的 ATMP（組裝、測試、標記、包裝）計劃分別提供項目開支的 50%、20%，這也意味著印度政府補貼占比高達
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導體儲存及影像產品制造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網絡、安防、工業、消費類以及醫療等領域，為客戶在這些多樣化的終端應用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導體解決方案的全球領先供應商之 [
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