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可加工5納米芯片,尼康宣布開發新一代ArF浸入式光刻機,面向尖端半導體制造

發布人:旺材芯片 時間:2021-10-25 來源:工程師 發布文章
尼康(Nikon) 近日宣布,目前正在開發下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻機,它將提供卓越的疊加精度和超高吞吐量,以支持最關鍵的半導體設備的制造。產品銷售計劃于2023 年開始。隨著數字化轉型(DX) 的加速,迫切需要非常快速地處理和傳達大量數據。為了滿足這些要求,高性能半導體勢在必行,半導體器件技術正在不斷發展,同時關注電路圖案的小型化和3D器件結構的開發。

NSR-S636E 具有增強型在線對準站(iAS),它是集成在涂布機/顯影器單元和光刻掃描儀之間的芯片預測量模塊。S636E和 iAS 利用復雜的多點對準測量和高級校正功能,使設備制造商能夠實現3D 設備結構所需的嚴格疊加精度,同時最大限度地提高浸入式光刻機的生產力。NSR-S636E非常適合尖端半導體制造,包括邏輯和存儲設備、CMOS圖像傳感器應用等。關于NSR-S636E的更多參數還沒有公布,但是從其上一代S635E宣稱的已經可以生產5nm芯片來看,S636E應該至少是可以更加高效的生產5納米芯片了,這個對于我國買不到ASML EUV光刻機來說,不失為一個很好的選擇。



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關鍵詞: 芯片

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