N3制程中，EUV微影曝光流程多達25層，而單臺EUV微影曝光設備造價最高達2億美元。因此N3制程單片晶圓生產費用可能高達20000美元，較N5制程高出20%。

臺積電3nm制程技術已于近期宣布量產。但市場消息指出，初代N3制程技術成本“非常高”，影響IC設計廠采用積極性。目前只有蘋果采用，甚至有報道稱今年蘋果或是臺積電3nm唯一一家客戶。
為刺激客戶采用興趣，臺積電已在謀劃“降價大促銷”——據Tom’s Hardware報道，臺積電正在考慮降低3nm制程系列技術報價。
臺積電3nm制程系列包含多個細分制程技術，包括N3、N3E、N3P、N3X等。
其中，還未面世的新一代N3E制程成本較N3制程來得低，這一情況也已成為市場共識。
有市場分析師指出，N3制程中，EUV微影曝光流程多達25層，而如今單臺EUV微影曝光設備造價即高達1.5億-2億美元。因此，N3技術極為昂貴，而臺積電為攤平設備采購成本，不得不對N3及后續(xù)制程收取高昂費用。
此前有消息稱，使用臺積電N3制程技術后，單片晶圓生產費用可能高達20000美元，較N5制程晶圓單價（16000美元）高出20%。
正如上文所述，臺積電正考慮降低3nm系列制程報價，尤其是N3E制程。
為何是N3E？該制程最多僅需使用19層EUV微影曝光流程，制造復雜度略低，其成本也較低。因此，臺積電可在不損害獲利能力的情況下，進一步降低N3E制程的生產報價。
分析師預計，2023年下半年，N3制程產能便將迎來“有意義的”提升，不過，屆時優(yōu)化版本N3E制程也將準備就緒。
因此，高性能運算、智能手機、定制芯片等方面的主要客戶（包括AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、MRVL、AVGO、GUC等），可能將留在原有的N4或N5（4/5nm）制程節(jié)點，或選擇成本較低的N3E來作為首次在3nm制程上的投產節(jié)點。
另外，根據AMD此前公開的計劃來看，其2024年部分采用Zen 5設計的產品將采用3nm制程生產；英偉達也計劃在其下一代Blackwell架構GPU中，采用3nm制程技術。
在3nm系列制程技術成本高昂的情況下，客戶對該技術的采用或將局限于某些特定產品。而一旦臺積電愿意降價，客戶未來或將重新考慮3nm系列制程采用策略。

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