英特爾公司近日宣布，將在未來數年內使用2納米技術制造處理器，這將是其目前10納米和7納米技術的重大改進。英特爾還在研發1.8納米技術，這將使其成為全球首家達到如此先進節點的公司。這項技術將成為公司產品和其IFS部門客戶芯片的重要基礎。

與此同時，三星和TSMC也在大力投資新技術，例如3納米和5納米，以保持其競爭優勢。這三家公司之間的競爭十分激烈，每個公司都在技術、性能和效率方面互相競爭。

英特爾的20A制造技術將基于Gate-All-Around RibbonFET晶體管，并將使用背面供電技術。技術節點是描述和比較集成電路制造技術的最常用參數之一。此次英特爾宣布的“2納米”和“20埃”都不是芯片的實際物理特性。在實際情況下，“2納米”大多用作營銷術語，是指新一代硅半導體芯片的高晶體管密度。

英特爾正在努力完成這兩項技術的規格、材料、要求和性能目標。雖然這并不意味著次技術節點已經準備好商業生產，但英特爾計劃在2024年上半年開始使用這項技術。英特爾的18A制造過程將進一步改進公司的RibbonFET和PowerVia（背面供電）技術，并縮小晶體管的尺寸。目前，英特爾的20A和18A工藝技術正在為公司的產品和第三方芯片緊鑼密鼓的開發中。

英特爾的CEO在最近與分析師和投資者的電話會議上表示：“我們已經與排名前十的七個最重要客戶建立了積極的聯系，并穩定增長以涵蓋其他43個潛在客戶。此外，我們在英特爾18A方面取得了進展，已經與我們的主要客戶共享了PDK 0.5的工程版本，并預計在未來幾周內發布最終的生產版本。”

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