1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片
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1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導產品64M同步動態存儲器(S-DRAM)。這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集成電路芯片生產線。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/100647.htm
1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次從計劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導產品64M同步動態存儲器(S-DRAM)。這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集成電路芯片生產線。
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