低壓方案

　　低壓傳統上指MOSFET工作在200V及以下，通常是多芯片模塊(MCM)和負載開關產品，現在業界把“中功率IC產品”也納入其中。Fairchild創新的MLP(低功耗電源管理)產品有多種小型化封裝方案，使傳統的SO-8趨向于雙3mm×3mm，D-Pak趨向于Power56和Power33，Power56趨向Power33，Power33趨向Power22方案，而能效、功率密度更佳，EMI更小。今后低壓MOSFET將在應用方案、Trench(溝槽) MOSFET技術、線性IC設計和封裝方面等繼續創新。

　　功率研討會上的新產品和新觀念：SuperFET向SupreMOS轉化

　　在09年12月初美國的Asiapress功率研討會上，Fairchild離線(Off-line)電源的全球技術市場推廣經理Van Niemela介紹了該公司的幾項創新技術：(1)SupreMOS技術，相比SuperFET(圖4)，有更低的RDS(ON)、更低的輸入電容;(2)臨界導通模式交錯式PFC控制器可提高能效，具有相位管理、低谷開關技術等，典型產品如FAN9612;(3)ORing FET打破了在5mm×6mm印腳(Footprint)時RDS(ON) 1mW的最低記錄，典型產品如FDMS7650。

　　美國EDN雜志執行編輯Ron Wilson在主持會議時說，目前服務器農場(Farmer)和基站是最受關注的耗能大戶。另外，家庭待機功耗、照明、便攜式產品等也是節能關注的熱點。

　　Altera Hardcopy ASIC部門高級總監Dave Greenfield說，為了降低功耗，需要在芯片、軟件和系統級方面創新：(1)芯片方面，要平衡制程技術，例如更低的核心電壓通常可以降低動態功耗，制程的提高不能對降低靜態功耗(漏電流)有幫助，但可以通過其他技術來降低功耗;(2)芯片要采用多種設計技術，需要精確地預估關鍵的起始點，功率驅動的綜合更重要，而過去較關注的卻是性能和密度;(3)系統級方面，例如DDR3雖然性能比DDR2性能強大，但是功耗卻更低。