德國LED設備大廠AIXTRON AG指出，新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系統已達成生產力目標。

　　據悉，新系統在600 mbar以上的高壓下能以極高的速率完成高質量的氮化鎵沉淀，產量超過前一代系統的1倍，氮化鎵/氮化銦鎵也有優異的均一性。在無反應爐烘培或替換任何零件的情況下，上述晶膜的生成在臺灣晶電廠區連續進行。目前，此MOCVD反應爐正要轉換至量產階段。