近日，日本東京都市大學綜合研究所硅納米科學研究中心成功開發出采用鍺(Ge)量子點的硅發光元件。

　　東京都市大學工學部教授、硅納米科學研究中心主任丸泉琢說明，該發光元件是在基于硅的pin構造元件的i 層中，嵌入了直徑為數10~100nm的鍺微小粒子，這種粒子具有提高電子和空穴之間重組率的作用，是藉由分子束外延法在約400℃溫度下形成，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性。

　　該元件活性層部分的直徑約為3μm。已確認可在室溫下，通過電流注入可以發出波長為1.2μm左右的光線。發光的內部量子效率為10-2。另外，如果增加注入電流、發光強度就會大幅提高的傾向。未來將在2～3年后開發出作為光開關工作的元件。