日立公司將在下周于火奴魯魯召開的VLSI技術年會上介紹更多自旋轉移矩隨機內存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))技術，另外據稱日立公司正在考慮將負責開發這項技術的部門從公司中分拆出去成立一家新公司。

　　SPRAM是下一代MRAM內存技術的一種，MRAM技術的特點是利用電子自旋的磁效應來實現非易失型數據存儲，這種技術制作出來存儲芯片據稱耐久性極佳，不過目前MRAM內存制造難度極大，很難批量生產。

　　日立公司開發的這種自旋轉移矩隨機內存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))可算是第二代的MRAM技術，這種技術據稱采用了新的內部結構，從而解決了傳統MRAM設備所存在的問題。目前正在研究這項技術的廠商還有臺積電，三星，海力士，IBM-TDK，東芝等多家廠商。