HP 關于憶阻器的發現在 2008 年時發表于「自然」期刊，2009 年證明了 Cross Latch 的系統很容易就能堆棧，形成立體的內存。目前的技術每個電線間的「開關」大約是 3nm x 3nm 大，開關切換的時間約在 1ns 左右，整體的運作速度約是 DRAM 的 1/10 -- 還不足以取代 DRAM，但是靠著 1 cm? 100 gigabit， 1cm? 1 petabit(別忘了它是可以堆棧的)的驚人潛在容量，干掉閃存是綽綽有余的。

　　但是 Crossbar Latch 可不止用來儲存數據而已。它的網格狀設計，和每個交叉點間都有開關，意味著整組網格在某些程度上是可以邏輯化的。在原始的 Crossbar Latch 論文中就已經提到了如何用網格來模擬 AND、OR 和 NOT 三大邏輯閘，幾個網格的組合甚至可以做出加法之類的運算。這為擺脫晶體管進到下一個世代開了一扇窗，很多人認為憶阻器電腦相對于晶體管的躍進，和晶體管相對于真空管的躍進是一樣大的。另一方面，也有人在討論電路自已實時調整自已的狀態來符合運算需求的可能性。這點，再搭配上憶阻器的記憶能力，代表著運算電路和記憶電路將可同時共存，而且隨需要調整。這已經完全超出了這一代電腦的設計邏輯，可以朝這條路發展下去的話，或許代表著新一代的智慧機器人的誕生。

　　不過這些都是未來的事了。HP 的目標訂的還算含蓄，只答應在 2013 年時，生產出與當世代的 Flash 同等價格，但兩倍容量的憶阻器記憶裝置。對大部份人來說，這個轉變會是相當低調的 -- 就像芯片制程已經一步步地降到了 24nm，但是對一般人來說，CPU 或是內存、隨身碟一直都長那個樣子，沒有在變。只是在里面，憶阻器和 Crossbar Latch 的組合代表的是電腦科技的全新進展，或許能讓我們再一次延續摩爾定律的生命，朝向被機器人統治的未來前進。