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美國發明輝鉬憶阻器 或將改變未來半導體領域方向

作者: 時間:2016-02-16 來源:金融界 收藏

  據美國科學學術網3日報道,美科學家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性,可以用其制造低功耗的超高速存儲與計算芯片,科學學術網認為這一發明很可能讓芯片世界從“硅時代”跨越到“輝鉬時代”。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201602/286959.htm

  



關鍵詞: 半導體 憶阻器

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