Spire集團的全資子公司Spire Semiconductor近日研制出了世界上效率最高的三結砷化鎵(GaAs)太陽能電池，在406倍太陽輻射聚光(406 suns)、大氣光學質量1.5 (AM1.5)、25℃的測試條件下，這片0.97cm2電池的效率達到了42.3%(500倍聚光條件下效率為42.2%)。這項開發是美國國家可再生能源實驗室(NREL)的孵化器項目(NREL incubator subcontract)的一部分。該記錄也得到了NREL的證實。

　　在過去不到18個月的時間里，我們驗證了公司提出的全新概念，并把這個想法應用于電池的開發中。現在，電池的設計已經達到了可以生產的水平并創造了轉換效率的世界記錄，Spire Semiconductor的總經理愛德華·蓋格農(Edward D. Gagnon)表示，我們的技術團隊取得了卓越的成果。NREL在整個項目期間給我們提供了很大的幫助，在接到我們需要精確測量效率的申請后，NERL也很快給了我們回應。正是因為他們長期以來的幫助，我們才能驗證自己雙面太陽能電池的結構。目前，這款下一代更加高效的GaAs聚光太陽能(CPV)電池平臺已經可以交付聚光太陽能系統開發商投入商業使用。

　　NREL的孵化器項目在一期已經達到了39%的效率。