日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已終止有關光源合資企業Gigaphoton的合作協議。Komatsu將從Ushio手中買下50%股權。未來Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數仍有待觀察。

　　成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要業務是開發、生產和銷售光刻工具用的準分子激光光源，是由Ushio和Komatsu合資成立的企業，雙方各握有50%股權。

　　包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他業者都正在為下一代光刻工具開發EUV光源。Gigaphoton采用激光激發電漿型(LPP)戶方法，而Ushio則采取放電激發電漿型(DPP)方法(電 子工程 專輯版權所有，謝絕轉載)。

　　現在，Gigaphoton和Ushio將在EUV光源市場中展開競爭。Cymer公司是LPP技術的推動廠商。在LPP方法中，電漿是透過在指定材料上收集強大的激光束來激發，而DPP方法則是透過在電子間對大電流脈沖充電來激發電漿。

　　日本的Ushio去年收購了飛利浦電子的EUV光源業務。飛利浦之前便已將其EUV事業部轉移到日本公司的EUV部門，稱之為Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在從事EUV光源的研發，并自2008年起與飛利浦合作開針對下一代半導體技術的EUV光源。

　　Ushio在2005年取得Xtreme的50%股權，并于2008年與飛利浦攜手展開研究，其研究也特別著重在EUV光源部份。而在同一年，Ushio也并購Xtreme，使其成為100%的子公司(電子工 程專 輯版權所有，禁止轉 載)。

　　目前，作為下一代光刻技術主要候選人之一的EUV技術，仍然因為光源、光刻膠和關鍵掩膜與量測基礎設施的缺乏而延遲(參閱電子工程專輯報道：光刻世界的期待與沮喪)。但芯片制造商仍對它充滿寄望。“我們估計在14nm節點可導入EUV技術，”臺積電(TSMC)資深研發副總裁蔣尚義說。

　　臺積電的28nm工藝采用的是193nm浸入式光刻技術;蔣尚義表示將在20nm工藝導入雙重曝光(double patterning)，而EUV技術則預計最快在14nm時才可望實現。

　　“EUV的最主要挑戰在產量和光源，”蔣尚義說。盡管站在芯片供應商的角度，整個產業都致力于建構完整的EUV基礎環境，但根本上EUV要能順利應用仍然缺乏許多條件，特別是在光源部份，現在整個產業都在等待光源的改良(電 子工 程專 輯版 權謝絕轉 載)。

　　不過，就算EUV真的趕不及，蔣尚義表示，仍有其他替代技術可供選擇。他看好電子束技術。舉例來說，“荷蘭Mapper Lithography已經開發出110電子束系統了，盡管該系統仍在開發初期，但根據產品藍圖，未來該公司將提供13,000電子束系統，”蔣尚義說。

　　從技術角度來看，“我們至少可以延伸到7nm或8nm，”蔣尚義說。而芯片制造商在選擇下一代光刻技術時，必須對晶圓成本做全盤考量。因此，下一代光刻技術的發展仍然充滿變數。

　　臺積電預計2012下半年試產20nm工藝，而預估2013~2014導入的18英寸晶圓也將搭配20nm工藝。