IR智能整流IC節省75%的元件數量
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IR中國及香港銷售總監嚴國富指出:“在100W到300W的回掃電路中,傳統的變壓器控制電路既復雜又笨重,還浪費能量,因為SR MOSFET的極性轉換感應需要很高的反向電流。相比之下,IR全新的智能整流IC憑借新的技術標準和直接感測SR MOSFET的電壓門限值,實現了快速、準確的控制,使功耗降至最低。”
嚴國富還補充道:“IR1167能提升1%的整體系統效率,減少MOSFET溫升10度,并使得電路元件數減少為過去的1/4。”
IR1167智能整流IC采用IR專有的HVIC技術,能夠與各種MOSFET柵極兼容,還可以直接連接IR各種30V至200V 的SR MOSFET。在與具有優化導通電阻及柵極電荷特性的IR MOSFET產品共同使用時,IR1167智能整流IC的優勢將更加突出,具有這些特性的產品有:IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。這些優化的MOSFET能與IR1167 SmartRectifier IC融合在一起,成為“整體芯片組解決方案”,進一步提升SR電路的效率和功率密度。
由于新的IC能脫離主控獨立運行,所以它適用于多種開關模式變壓器和電容輸出濾波器應用。與初級部分獨立,意味著IR1167在低功率的“跳頻模式”下運作,使產品符合“待機功率小于1W”以及加州能源委員會的80Plus規定。
智能整流技術使 SR MOSFET的損耗減半,因此也減少了所需的MOSFET數量,還有助于將大型TO-220封裝改為小型、表面貼裝的SO-8器件。
設計工具
除了數據資料、應用說明書和技術論文,用戶還可以登錄IR的myPower 網站http://www.irf.com/design-center/mypower/,使用全新的SmartRectifier在線設計軟件。設計人員只要輸入應用條件和性能要求,就能獲取按照性能和系統成本排列的IC和MOSFET芯片使用建議。此外,IR還提供一種子卡,可將IR SmartRectifier的效率和簡便性與二極管設計和復雜的SR方案進行比較。
樣品現已通過產品市場部供貨。



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