美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同時他們也正在研發直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進入量產階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘米，導電能力得到極大提高，電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個數量級。此外，Kyma也成功開發了高摻雜n+型氮化鎵襯底晶片，n型載流子濃度達到了6´1018 cm-3，對應電阻率僅為0.005歐姆厘米。Kyma公司此前的n型氮化鎵產品仍然在出售，以后將被標記為n-型號。

　　對于很多半導體材料和器件研究而言，盡管n-型氮化鎵仍可作為一種較好的初始生長材料，n+型氮化鎵則更有優勢，特別是對于垂直結構器件和降低器件接觸電阻方面。在垂直功率電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得超低的電阻，同時也降低了寄生電阻。而在LED等光電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得低的垂直電阻，有效降低電流擁擠效應的發生。通過這些具有高電子濃度導電襯底的使用，將會使功率電子器件和光電子器件的性能和使用壽命得到大幅度提高，具有重大應用價值。

　　Kyma公司是一家專門生產氮化鎵和氮化鋁晶體材料的公司，這些材料在高性能的氮化物半導體器件方面具有廣泛應用。從長期看，氮化物半導體器件市場預計超過900億美元，其中在可見光領域的市場應用超過600億美元，在功率微電子器件方面的應用超過300億美元，市場前景廣闊。