數字電源控制模擬控制能力

作者：時間：2011-10-12 來源：電子產品世界

加入技術交流群
- 掃碼加入
  和技術大咖面對面交流
  海量資料庫查詢

本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/124365.htm

　　(圖字：占空比(標稱值變化百分比)，損耗(W))

　　因此，由于占空比可以作為測量相對損耗的方法使用，可以在數字實現過程中改變參數，并對占空比的影響情況進行監測。如果占空比增加，則可以在相反的方向調整參數，可以減少占空比(和相對損耗)。

　　死區時間是高側FET關斷和低側FET導通之間的時間，反之亦然。如果死區時間過長，體二極管導通代表可能會出現損耗。如果死區時間太短，那么就可能發生交叉導通，也引入了損耗，如圖11所示。

　　(圖字：損耗(W)，H-L延遲(ns))

　　在大多數設計中，最佳死區時間不是固定值。圖12顯示了幾種情況下低側柵極信號和開關節點的波形。上圖為60納秒時的固定死區時間。左上圖是電流為1安培的情況，右上圖是20安培負載電流的情況。請注意，也就是說，波形之間的相對差額在中電壓范圍。還要注意，在20安培情況下，開關節點電壓中有一些下沖，這表明死區時間過長(導致體二極管導通)。