中國大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發成功，同時，相關工藝技術及設計開發也已完成。這標志著我國氧化物TFT背板技術研制已經達到業界先進水平，也將進一步推動我國在AMOLED等新型顯示產品的研制進程。

　　氧化物TFT即Oxide TFT背板技術，是與傳統a-Si TFT制程相近的背板技術，它將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體(現在應用最廣泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物)來形成TFT 半導體層。

　　氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優勢，可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品，且相對于低溫多晶硅TFT制造領域具有設備投資成本低、運營保障成本低等優點。

　　特別值得一提的是，氧化物TFT還是AMOLED新型顯示技術研發制造的關鍵技術。AMOLED顯示要解決量產、大尺寸制造等問題，首先需要解決的就是TFT背板開發問題。氧化物TFT技術的成功開發彌補了大尺寸AMOLED背板技術的缺陷，勢必成為推動AMOLED顯示產品進一步量產化的關鍵技術。而應用Oxide TFT技術的液晶屏及AMOLED顯示屏，其綜合性能將遠高于同類a-Si TFT產品。