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羅姆開發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管

作者: 時間:2012-06-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   <特點>

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/133946.htm

  1) 與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,損耗約降低40%
  與一般用于車載的相比,VF降低約40%。有助于降低功耗。  

  2) 小型封裝有助于節(jié)省空間
  與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,可實現(xiàn)小一號尺寸的封裝設計。

  3) 高溫環(huán)境下亦無熱失控
  實現(xiàn)了超低IR,因此Ta=150℃也不會發(fā)生熱失控,可在車載等高溫環(huán)境下使用。  

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關鍵詞: 羅姆 二極管 FRD

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