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科銳發布Verilog-A無線射頻器件模型

—— 加速GaN在4G/LTE電信基礎設施領域的采用
作者: 時間:2012-07-19 來源:電子產品世界 收藏

  公司(Nasdaq: CREE)宣布推出適用于 GaN 器件的全新 非線性器件模型,該模型專為安捷倫的 ADS 以及 AWR 的 Microwave Office 等領先設計平臺而研發。全新器件模型能夠支持更為復雜的電路仿真,包括最新寬帶調制包絡分析和4G 蜂窩通信的多模式功率放大器。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/134812.htm

  無線射頻(RF)及微波部門總監 Jim Milligan 表示:“新型器件模型能夠使得無線射頻設計工程師通過諧波平衡預測非線性性能、進行瞬態分析以及使用真實環境中的任意調制信號進行 GaN HEMT 器件的包絡模擬。 模型和包絡模擬器能夠幫助設計師研發高效率電路,如 Doherty 放大器,從而改進相鄰通道功率比、頻譜再生以及誤差矢量幅度,同時評估放大器的性能是否滿足 LTE 資源配置的光譜需求。新型模型還具有多核處理器的優勢,因此可大幅減少模擬時間。”

  科銳射頻業務發展部經理 Ray Pengelly 表示:“瞬態分析能夠深入洞察開關模式功率放大器的構造,這種放大器也可以直接通過數字信號驅動。并且與 Chireix 反相相位法相結合,效率證實可超過70%。”

  科銳全新 非線性器件模型現已開始供貨。



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