推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產品陣容，應用于消費類電器及工業應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。



安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“電器的使用數量持續增多，使不斷增長的工業及消費市場的總能耗穩步上升。安森美半導體持續開發薄晶圓工藝及植入技術，能夠顯著提升IGBT性能，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

公司推出的FSII IGBT首組產品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些器件優化了開關性能并降低了導電損耗，用于采用15千赫茲(kHz)到30 kHz的中等頻率工作的電磁加熱和軟開關應用。器件在大電流時提供極佳的強固性和優異的導通狀態特性，根據系統要求經過優化，以提供更高能效及降低系統損耗。這些高速IGBT提供領先業界的系統級性能，用于電磁加熱產品，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。這系列器件提供1,200伏(V)及1,350 V平臺版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30 A及40  A。

安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充，新產品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設計用于太陽能逆變器、不間斷電源系統(UPS)及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結點工作溫度范圍達-55到+175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導體提供高品質及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車行業AEC-Q認證的IGBT量產已經超過十年。2011年，公司開始開發新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續需求高能效方案的工業及消費類市場。安森美半導體采用專有溝槽場截止型IGBT技術的首個完整產品系列于2012年發布，媲美互相競爭的技術。此次發布的最新FSII IGBT技術使安森美半導體居市場領先地位。