由于使用了完全絕緣的藍寶石基底，與笨重的CMOS和SOI技術相比，UltraCMOS場效應晶體管(FET)的一個主要優勢是可以疊在一起來處理高強度的RF功率。因而，它有能力處理+40dBm以上的功率，而且在處理高強度RF功率的同時不降低Q值或調諧比。

　　該技術有潛力開發出滿足眾多應用系統和工作條件要求的DuNE DTC。目前已設計出電容范圍為0.5pF到10pF、調諧比為3:1到6:1、分辨率為5位(32級)的DTC(見圖6)。這些DTC可在1到2GHz 范圍內把Q值設定為40到80 (見圖7)。除了在50Ω可處理>+38dBm的功率和開關速度優于5秒之外(見圖8)，這些新型DTC的功耗約為100μA(低于一些替代調諧技術的幅度)。

　　圖6：實測結果表明，5位DuNE DTC器件具有良好的線性調諧特性，電容范圍為1.15到3.4pF(調諧比為3:1)。

　　圖7：DuNE DTC器件的品質因數實測結果，在900MHz時其Q值為60-70。

　　圖8： 當輸入功率高達+40dBm時，三次諧波幅度低于-36dBm，滿足GSM規范。

　　基于成熟的設計模塊和每周數百萬出貨量的工藝技術，DuNE技術可極大地擴展手機設計人員的選擇空間。DTC的所有參數(電容值、調諧比、品質因數、功率處理能力)都可通過電路設計而不是材料工程來改變，從而大大加快了新型專用設計的開發進程。面向蜂窩電話和移動電視應用的DuNE DTC已經在試產階段，計劃在2009-2010年開始量產。這項先進的技術創新可以把完整的自適應天線調諧系統集成到單片中，進而極大地提高了新型手機設計的天線性能。