GaAsSb雙異質結雙極晶體管集成電路DHBT技術
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本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/155338.htm
工藝的設計考慮到性能、可靠性和可生產性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發射區/基區短路是影響成品率的主要原因，基區電極柱損失是影響遠小于發射區/基區短路的第二個原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對較小，都在測試不確定范圍內。由500個晶體管組成的典型電路所達到的成品率已能夠滿足小規模儀器的應用應用。
一種新的工藝技術對于Agilent復雜且規模較小的生產其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問題。我們的經驗顯示GaAsSb/InP雙異質結雙極晶體管DHBTs并不存在異于其它化合物半導體的特有失效機制和更低的可生產性。
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