半導體行業材料工程領域的領軍企業應用材料公司今日推出全新的沉積、刻蝕及材料改性系統，大幅提升 2 納米及更先進制程前沿邏輯芯片的性能。該系列技術通過對電子領域最基礎的構建單元 —— 晶體管進行原子級優化，實現人工智能計算性能的飛躍。向全環繞柵晶體管的轉型是半導體行業的重要轉折點，也是打造更高性能人工智能芯片所需的高能效計算技術的核心支撐。隨著 2 納米級全環繞柵芯片于今年進入量產階段，應用材料公司推出多項材料創新技術，為埃米制程的下一代全環繞柵晶體管提供性能增強方案。這些新型芯片制造系統的協同作用，為全環
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CDimension最近發布了一項技術，使傳統半導體晶圓廠能夠使用超薄半導體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數字和功率器件的可能性。據公司介紹，它已經幫助多家芯片制造商探索如何將技術應用于制造數字和模擬集成電路，這些集成電路能提供顯著更高的邏輯密度、運行速度和能效。CDimension還為開發者提供了資源，使他們最終能夠利用相同的工藝生產垂直集成芯片，將計算、內存和電源功能統一到單一高效設備中。BEOL工藝使原子薄膜能夠生長公司商業化產品的核心是一種專有的低溫后端（BE
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CDimension 二維 晶體管 半導體
簡介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規級晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應用標準的預量產樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規級晶體管及多種雙向開關。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業不斷變化的需求而持續提供創新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產品解決方案。 產品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績 產品優點同級最佳功率密
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人工智能（AI）已成為當今半導體擴展的工作負載。無論是在超大規模數據中心訓練基礎模型，還是在網絡邊緣執行嚴格功耗范圍的推理，人工智能都依賴于單位面積內裝入更多晶體管，同時降低每次作的功耗。在半導體領域，更高的密度和效率等同于器件的擴展。通過平面互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件進行傳統縮放，幾十年前就達到了物理和泄漏極限。隨后出現了FinFET，進一步擴展了摩爾定律，引入了鰭狀信道，提升了門控。但FinFETs也已達到極限。隨著門長接近個位數納米，靜電短通道效應和泄漏再次限制了縮放。簡單來說，FinFE
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Imec在本周的IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項關鍵進展，重點介紹了采用單層WSe?和與行業合作伙伴共同開發的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創紀錄性能p型場效應晶體效應晶體管。這項工作進一步證明了二維材料可以將CMOS的尺度擴展到硅之外的論點。這一公告意義重大，因為它顯示了實現可制造2D-FET（可制造性場效應晶體管）的具體工藝層面進展——這一領域與未來的邏輯路線圖、晶體管性能擴展以及歐洲的戰略半導體抱負密切相關。二硒化鎢 p 型場效應晶體管集成技術實現突破近年來，
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垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時提供卓越的可靠性并簡化熱管理。然而，初創企業將垂直氮化鎵晶體管商業化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業上取得了成功，部分原因是建立了一個“殺手級”應用，即移動設備的快速充電。阻礙卓越幾何形狀的成功是其原生基礎。除了價格高昂之外，GaN 襯底的尺寸也有限，典型直徑僅為 50 mm。這可以防止在受益于規模經濟的成熟 200 毫米生產線上制造設備，以及使用更現代化的加工設備。Vertical Semicondu
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全方位柵極 （GAA） 晶體管市場規模是多少？2024年全球柵極全環（GAA）晶體管市場規模為6.0005億美元，預計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復合年增長率為12.84%。該行業代表了半導體設計的重大進步，為未來的電子設備提供了更高的性能和可擴展性。隨著 GAA 晶體管市場的持續增長，了解其市場規模和預計擴張對于利益相關者和行業分析師至關重要。市場亮點到 2024 年，亞太地區主導了全環柵極 （GAA） 晶體管市場，市場份額最大，達到
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我們當中一定年齡的人仍然記得每一代新一代視頻游戲機的發布所帶來的圖形的巨大改進。與最初的 NES 相比，超級任天堂是一個巨大的飛躍，與超級任天堂相比，任天堂 64 同樣是一個巨大的升級。但如今，當更新的硬件發布時，很難區分新舊。計算技術仍在快速發展，但這一領域也開始出現越來越多的類似感覺。今年的處理器似乎沒有像過去的升級那樣提供性能的巨大飛躍。這種速度放緩的部分原因是我們開始挑戰底層硬件的物理限制。特別是蝕刻在芯片硅中的晶體管現在非常小，以至于我們正在接近原子尺度。撞墻隨著硅基晶體管的不斷縮小，它們面臨著
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在電源轉換器設計中，為確保電源晶體管的性能評估準確性，選擇合適的器件至關重要。理想情況下，功率半導體供應商提供的數據表應包含一致且可比較的動態參數。然而，在實際操作中，尤其是針對表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動態開關特性測試，實現使寄生蟲保持較小且從系統之間保持一致的挑戰。本文聚焦于設計一套標準化的雙脈沖測試（DPT）系統，旨在實現不同測試系統間動態特性結果的可關聯性。文中詳細闡述了在設計此類系統時需考慮的關鍵因素，包括如何最小化寄生參數影響及確保系統間測試條件的一致性。原則上，DPT設置很簡單，如
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臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節點下一代先進芯片技術，”臺積電業務發展和全球銷售高級副總
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英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
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整流是通過固態半導體器件將交流電源連接到直流負載的過程。整流通過二極管、晶閘管、晶體管或轉換器將振蕩的正弦交流電壓源轉換為恒定的直流電壓供應。這一整流過程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相電源轉換為恒定的直流電平。在本教程中，我們將探討單相整流及其所有形式。整流器是交流電源轉換的基本構建模塊之一，半波或全波整流通常由半導體二極管執行。二極管允許交流電流在正向流動，同時阻止反向電流流動，從而產生固定的直流電壓電平，使其成為理想的整流器件。然而，通過二極管整流的直流電并不像從電
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1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時，晶體管的正負通道不論有或沒有信號都處于常開狀態，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應用中比較少見，像意大利的Sinfoni高品質系列才有這類功率放大器。這是因為純甲類功率放大器的效率非常低，通常只有20-30%，音響發燒友們對它的聲音表現津津樂道。小信號放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號放
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新的晶體管技術可能會對電子產品產生重大影響。
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模擬振蕩器電路通常用于產生用于同步電路定時的方波時鐘信號。本文介紹了模擬方波發生器的理論、設計和關鍵特性。許多電子系統需要定時機制。這通常是通過時鐘信號完成的，時鐘信號是特定頻率的方波。對于許多應用，時鐘信號是通過方波振蕩器在系統內生成的。然而，該方波信號也可以作為系統的輸入。由于許多模擬和數字電路都可以用作方波振蕩器，我們的目標是涵蓋這兩種類型；然而，在本文中，我們將討論模擬振蕩器的設計，介紹它們的工作原理，并回顧它們的優缺點。使用可調多諧振蕩器的運算放大器方波發生器我們將研究的第一個電路是一個稱為非穩
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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