晶體管文章最新資訊

晶體管溫度補償電路圖

溫度升高，電流增大，NTC熱敏電阻阻值下降，Ub下降，Ib減小，穩定晶體管靜態工作點。
關鍵字：晶體管溫度補償

氮化鎵（GaN）晶體管設備越薄越冷

　　伊利諾伊大學研究人員開發出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法　　GaN晶體管比傳統的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產生過多的熱量，這會限制他們的性能。　　基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積?，F在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。　　采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。
關鍵字：氮化鎵晶體管

晶體管或穩壓器并聯后可以取消散熱器

引言雙極結型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數的優點，它們可以解決許多問題。我們可以發現過去由于這些元件太高成本而不可能實現的新應用，比如我們可以在某些情況下用多個并聯的小
關鍵字：晶體管穩壓器

1nm晶體管現身！

　　以物理學規則來看，電晶體的最小尺寸被認為是5奈米，但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個極限已經被突破… 　　碳奈米管從過去幾十年就已經用于制作實驗性電晶體，但大多是當做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實現了號稱全世界最小的電晶體。　　　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
關鍵字： 1nm 晶體管

1nm晶體管能否改寫摩爾定律的命運？

隨著芯片技術的發展，摩爾定律所預言的發展軌跡似乎已逼近終點。這意味著，固守傳統思路的芯片制造商將舉步維艱。
關鍵字： 1nm 晶體管

計算技術界的重大突破：1nm晶體管誕生

晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
關鍵字： 1nm 晶體管

研究人員開發出全球最小晶體管摩爾定律仍將長期生效

　　北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。　　晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從源極流到漏極，由柵極來控制，后者會根據所施加的電壓打開和關閉。　　伯克力實驗室研究人員蘇杰伊-德賽(Sujay Desai)稱：“長期以來，半導體行業一直認為，任何小
關鍵字：摩爾定律晶體管

指針式萬用電表中晶體管直流電流放大倍數的測量原理和誤差分析

在指針式萬用電表中，測量晶體管直流電流放大倍數是通過直流電流表(通常在1.5V標稱電壓下，標準量程為5mA)測量的。隨著電池電壓的減小，通過調節電阻檔的零歐姆電位器以使電流表達到滿度，由于電流表偏離標準量程，也就造成了測量誤差。文中分析了當電池電壓從1.65V降至1.35V過程中所產生的誤差值。取其中的最大值作為技術指標中的誤差值。而一般廠家在技術指標中，沒有給出該誤差值或精度等級。
關鍵字：萬用電表晶體管電流放大倍數誤差分析 201609

【E問E答】晶體管工作原理是什么?

　　利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看　　下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態表示二進制的“0”和“1”。　　　　源極和漏極之間是溝道(Channel)，當沒有對柵極(G)施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會有有效電流產生，晶體管處于關閉狀態?？梢园堰@種關閉的狀態解釋為&l
關鍵字：晶體管

摩爾定律預言晶體管將在2021年停止縮減準不準?

　　本月早些時候公布的2015年半導體國際技術路線圖顯示，經過50多年的小型化，晶體管可能將在短短五年間停止縮減。該報告的預測，到2021年之后，繼續縮微處理器當中小晶體管的尺寸，對公司來說不再經濟。相反，芯片制造商將使用其它手段提升晶體管密度，即從水平專到垂直，建立多層電路。　　一些人認為，這一變化將有可能被解釋為摩爾定律死亡的另外一種方式。雪上加霜的是，這是最后一份ITRS路線圖。目前，半導體行業協會和半導體研究公司已經分道揚鑣，就摩爾定律死亡之后，尋找和制定新的半導體發展路線圖。預計其他ITRS
關鍵字：摩爾定律晶體管

單管共射放大電路的相關知識

　　一、晶體管放大電路的概述　　由三極管組成的放大電路，它的主要作用是將微弱的電信號(電壓、電流)放大成為所需要的較強的電信號。根據放大電路輸入、輸出回路變化信號公共端的晶體管電極，我們把晶體管放大電路分為共射、共基、共集三類。　　二、單管共射放大電路的組成及元件作用　　單管共發射極電路(如下圖)需要放大的電壓信號Ui接在放大電路輸入端;放大后的電壓Uo，從放大電路的集電極與發射極輸出。發射極E是輸入信號和輸出信號的公共端，組成共發射極放大電路。　　　　三極管V：實
關鍵字：晶體管放大電路

一款驅動壓電管的高壓放大器

　　文章主要介紹能驅動壓電管的高壓放大器，感性趣的朋友可以看看。　　在掃描隧道顯微鏡中驅動操作裝置的壓電管狀定位器需要使用高壓低電流驅動電路。圖1所示電路具有6 kHz的-3dB帶寬，可驅動高阻低電容的壓電負載。該電路成本低，可代替商用驅動器。晶體管Q3和Q4構成了一個電流反射鏡，R3設定Q4的集電極電流。該集電極電流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式確定。運算放大器IC1為Q5提供基極驅動，Q5又驅動Q6。當IC1輸入端無信號時，Q6和Q3的集電極電流平衡，
關鍵字：晶體管

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內部含有兩個P [ 查看詳細 ]