晶體管文章最新資訊

應(yīng)用材料晶體管與布線創(chuàng)新技術(shù)，助力打造更快的人工智能芯片

半導(dǎo)體行業(yè)材料工程領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)應(yīng)用材料公司今日推出全新的沉積、刻蝕及材料改性系統(tǒng)，大幅提升 2 納米及更先進(jìn)制程前沿邏輯芯片的性能。該系列技術(shù)通過對(duì)電子領(lǐng)域最基礎(chǔ)的構(gòu)建單元 —— 晶體管進(jìn)行原子級(jí)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)人工智能計(jì)算性能的飛躍。向全環(huán)繞柵晶體管的轉(zhuǎn)型是半導(dǎo)體行業(yè)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，也是打造更高性能人工智能芯片所需的高能效計(jì)算技術(shù)的核心支撐。隨著 2 納米級(jí)全環(huán)繞柵芯片于今年進(jìn)入量產(chǎn)階段，應(yīng)用材料公司推出多項(xiàng)材料創(chuàng)新技術(shù)，為埃米制程的下一代全環(huán)繞柵晶體管提供性能增強(qiáng)方案。這些新型芯片制造系統(tǒng)的協(xié)同作用，為全環(huán)
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這種“二維”晶體管工藝能否改變邏輯和功率器件的生產(chǎn)？

CDimension最近發(fā)布了一項(xiàng)技術(shù)，使傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓廠能夠使用超薄半導(dǎo)體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數(shù)字和功率器件的可能性。據(jù)公司介紹，它已經(jīng)幫助多家芯片制造商探索如何將技術(shù)應(yīng)用于制造數(shù)字和模擬集成電路，這些集成電路能提供顯著更高的邏輯密度、運(yùn)行速度和能效。CDimension還為開發(fā)者提供了資源，使他們最終能夠利用相同的工藝生產(chǎn)垂直集成芯片，將計(jì)算、內(nèi)存和電源功能統(tǒng)一到單一高效設(shè)備中。BEOL工藝使原子薄膜能夠生長(zhǎng)公司商業(yè)化產(chǎn)品的核心是一種專有的低溫后端（BE
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英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管，推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新

簡(jiǎn)介英飛凌正式推出CoolGaN 100V G1系列車規(guī)級(jí)晶體管，并開始提供符合AEC-Q101汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN高壓（HV）車規(guī)級(jí)晶體管及多種雙向開關(guān)。此舉彰顯了英飛凌為滿足汽車行業(yè)不斷變化的需求而持續(xù)提供創(chuàng)新解決方案的承諾——包括從適用于低壓車載信息娛樂系統(tǒng)的新型100V GaN晶體管，到面向未來車載充電器和牽引逆變器的高壓產(chǎn)品解決方案。產(chǎn)品特色AEC-Q101 獲得資格100 V e模功率晶體管雙側(cè)冷卻封裝無反向回收裝藥超低功績(jī) 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)同級(jí)最佳功率密
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolGaN 100V G1系列晶體管汽車氮化鎵綠色

跟上人工智能的步伐：為什么全環(huán)門晶體管是答案

人工智能（AI）已成為當(dāng)今半導(dǎo)體擴(kuò)展的工作負(fù)載。無論是在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練基礎(chǔ)模型，還是在網(wǎng)絡(luò)邊緣執(zhí)行嚴(yán)格功耗范圍的推理，人工智能都依賴于單位面積內(nèi)裝入更多晶體管，同時(shí)降低每次作的功耗。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，更高的密度和效率等同于器件的擴(kuò)展。通過平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）器件進(jìn)行傳統(tǒng)縮放，幾十年前就達(dá)到了物理和泄漏極限。隨后出現(xiàn)了FinFET，進(jìn)一步擴(kuò)展了摩爾定律，引入了鰭狀信道，提升了門控。但FinFETs也已達(dá)到極限。隨著門長(zhǎng)接近個(gè)位數(shù)納米，靜電短通道效應(yīng)和泄漏再次限制了縮放。簡(jiǎn)單來說，F(xiàn)inFE
關(guān)鍵字：人工智能半導(dǎo)體晶體管全環(huán)繞柵極 Mears硅技術(shù)

Imec推動(dòng)未來邏輯擴(kuò)展的二維材料器件技術(shù)

Imec在本周的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2025）上公布了二維材料晶體管集成的兩項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重點(diǎn)介紹了采用單層WSe?和與行業(yè)合作伙伴共同開發(fā)的新型晶圓廠兼容工藝模塊的創(chuàng)紀(jì)錄性能p型場(chǎng)效應(yīng)晶體效應(yīng)晶體管。這項(xiàng)工作進(jìn)一步證明了二維材料可以將CMOS的尺度擴(kuò)展到硅之外的論點(diǎn)。這一公告意義重大，因?yàn)樗@示了實(shí)現(xiàn)可制造2D-FET（可制造性場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的具體工藝層面進(jìn)展——這一領(lǐng)域與未來的邏輯路線圖、晶體管性能擴(kuò)展以及歐洲的戰(zhàn)略半導(dǎo)體抱負(fù)密切相關(guān)。二硒化鎢 p 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破近年來，
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垂直氮化鎵晶體管：起飛時(shí)間

垂直 GaN 晶體管有很多話要說。與其水平兄弟產(chǎn)品相比，它在給定的封裝下提供更高的擊穿電壓和電流，同時(shí)提供卓越的可靠性并簡(jiǎn)化熱管理。然而，初創(chuàng)企業(yè)將垂直氮化鎵晶體管商業(yè)化的努力失敗了，如今，橫向變體在商業(yè)上取得了成功，部分原因是建立了一個(gè)“殺手級(jí)”應(yīng)用，即移動(dòng)設(shè)備的快速充電。阻礙卓越幾何形狀的成功是其原生基礎(chǔ)。除了價(jià)格高昂之外，GaN 襯底的尺寸也有限，典型直徑僅為 50 mm。這可以防止在受益于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的成熟 200 毫米生產(chǎn)線上制造設(shè)備，以及使用更現(xiàn)代化的加工設(shè)備。Vertical Semicondu
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GAA晶體管市場(chǎng)規(guī)模、份額和趨勢(shì)預(yù)測(cè)（2034）

全方位柵極（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模是多少？2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模為6.0005億美元，預(yù)計(jì)將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為12.84%。該行業(yè)代表了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步，為未來的電子設(shè)備提供了更高的性能和可擴(kuò)展性。隨著 GAA 晶體管市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，了解其市場(chǎng)規(guī)模和預(yù)計(jì)擴(kuò)張對(duì)于利益相關(guān)者和行業(yè)分析師至關(guān)重要。市場(chǎng)亮點(diǎn)到 2024 年，亞太地區(qū)主導(dǎo)了全環(huán)柵極（GAA）晶體管市場(chǎng)，市場(chǎng)份額最大，達(dá)到
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麻省理工學(xué)院工程師用磁性材料制造晶體管

我們當(dāng)中一定年齡的人仍然記得每一代新一代視頻游戲機(jī)的發(fā)布所帶來的圖形的巨大改進(jìn)。與最初的 NES 相比，超級(jí)任天堂是一個(gè)巨大的飛躍，與超級(jí)任天堂相比，任天堂 64 同樣是一個(gè)巨大的升級(jí)。但如今，當(dāng)更新的硬件發(fā)布時(shí)，很難區(qū)分新舊。計(jì)算技術(shù)仍在快速發(fā)展，但這一領(lǐng)域也開始出現(xiàn)越來越多的類似感覺。今年的處理器似乎沒有像過去的升級(jí)那樣提供性能的巨大飛躍。這種速度放緩的部分原因是我們開始挑戰(zhàn)底層硬件的物理限制。特別是蝕刻在芯片硅中的晶體管現(xiàn)在非常小，以至于我們正在接近原子尺度。撞墻隨著硅基晶體管的不斷縮小，它們面臨著
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雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性

在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本文聚焦于設(shè)計(jì)一套標(biāo)準(zhǔn)化的雙脈沖測(cè)試（DPT）系統(tǒng)，旨在實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試系統(tǒng)間動(dòng)態(tài)特性結(jié)果的可關(guān)聯(lián)性。文中詳細(xì)闡述了在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素，包括如何最小化寄生參數(shù)影響及確保系統(tǒng)間測(cè)試條件的一致性。原則上，DPT設(shè)置很簡(jiǎn)單，如
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臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計(jì)劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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單相整流

整流是通過固態(tài)半導(dǎo)體器件將交流電源連接到直流負(fù)載的過程。整流通過二極管、晶閘管、晶體管或轉(zhuǎn)換器將振蕩的正弦交流電壓源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電壓供應(yīng)。這一整流過程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相電源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電平。在本教程中，我們將探討單相整流及其所有形式。整流器是交流電源轉(zhuǎn)換的基本構(gòu)建模塊之一，半波或全波整流通常由半導(dǎo)體二極管執(zhí)行。二極管允許交流電流在正向流動(dòng)，同時(shí)阻止反向電流流動(dòng)，從而產(chǎn)生固定的直流電壓電平，使其成為理想的整流器件。然而，通過二極管整流的直流電并不像從電
關(guān)鍵字：單相整流，二極管，晶閘管，晶體管，轉(zhuǎn)換器，整流器

功放的ABCD類

1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒有信號(hào)都處于常開狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應(yīng)用中比較少見，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類功率放大器。這是因?yàn)榧兗最惞β史糯笃鞯男史浅５停ǔＶ挥?0-30%，音響發(fā)燒友們對(duì)它的聲音表現(xiàn)津津樂道。小信號(hào)放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號(hào)放
關(guān)鍵字：功率放大器模擬電路晶體管

麻省理工學(xué)院：新型晶體管以納秒級(jí)速度開關(guān)

新的晶體管技術(shù)可能會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生重大影響。
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基于運(yùn)算放大器和晶體管的模擬方波發(fā)生器設(shè)計(jì)

模擬振蕩器電路通常用于產(chǎn)生用于同步電路定時(shí)的方波時(shí)鐘信號(hào)。本文介紹了模擬方波發(fā)生器的理論、設(shè)計(jì)和關(guān)鍵特性。許多電子系統(tǒng)需要定時(shí)機(jī)制。這通常是通過時(shí)鐘信號(hào)完成的，時(shí)鐘信號(hào)是特定頻率的方波。對(duì)于許多應(yīng)用，時(shí)鐘信號(hào)是通過方波振蕩器在系統(tǒng)內(nèi)生成的。然而，該方波信號(hào)也可以作為系統(tǒng)的輸入。由于許多模擬和數(shù)字電路都可以用作方波振蕩器，我們的目標(biāo)是涵蓋這兩種類型；然而，在本文中，我們將討論模擬振蕩器的設(shè)計(jì)，介紹它們的工作原理，并回顧它們的優(yōu)缺點(diǎn)。使用可調(diào)多諧振蕩器的運(yùn)算放大器方波發(fā)生器我們將研究的第一個(gè)電路是一個(gè)稱為非穩(wěn)
關(guān)鍵字：運(yùn)算放大器，晶體管，模擬方波發(fā)生器

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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]