由于M1和M2柵極的電位相同，故有：
由于(W/L) 2=K (W/L) 1， 則：
因此可得到：
從而得出N管偏置電壓和P管偏置電壓為：
同時，該模塊還設計有欠壓保護電路，利用R網絡結構，并采用上拉電阻鉗位，可使電壓在低于2.5V情況下強制關斷芯片，從而提高電源的利用效率。
2.2 高電源抑制比基準電壓源
基于0.5μm CMOS標準工藝設計一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比基準電壓源的電路結構如圖3所示。在室溫下，該基準源具有零溫度系數，且在-40℃～120℃范圍內電壓變化很小，其溫度系數可達3ppm/℃數量級。
圖3 基準電路結構
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