為客戶提供更低成本，更佳性能和更靈活的設計

　　中芯國際集成電路制造有限公司，中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，今日宣布推出多元化嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)平臺。中芯國際綜合eNVM平臺包括0.18和0.13微米(μm)嵌入式電可擦可編程只讀存儲器(eEEPROM)技術、嵌入式閃存(eFlash)技術、多次可編程(MTP)、單次可編程(OTP)，以及在明年第二季度預備就緒的55納米(nm) eFlash技術。該高差異化的平臺可滿足客戶對低成本、低功耗、高性能和高可靠性各方面的需求，以提升客戶產品競爭力。

　　中芯國際擁有非常完整的eNVM設計支持架構。對于每一個技術節點的設計支持都以提供基本技術信息的PDK開始，并包括額外的例如MiM，bit cell，ESD結構等組件。此外，該平臺集成了EEPROM、Flash、ROM、VR、OSC、I/O、PLL、ADC、LDO、USB、存儲器編譯器、標準單元庫，以及跟芯片安全有關的光檢測器(light detector)和電壓監測器(voltage detector) IP。 還有其它如 eDRAM,、eFUSE等特殊器件IP。除了上述IP組件外，中芯國際還提供客制化IP服務以滿足客戶特殊設計上的需求。

　　中芯國際eNVM平臺適用于消費者、工業產品、汽車電子等廣泛的產品應用，諸如MCU (微控制器)、觸控屏;以及一系列的智能卡應用領域(涵蓋SIM卡、社會保障、交通運輸和銀行卡等)。通常這些應用對性能、可靠性、尺寸、功耗具有較高的要求。中芯國際現已與諸多業界知名企業在eNVM平臺上合作，目前該平臺已進入量產。

　　"客戶需要能滿足他們在獨特的性能和低功耗上的解決方案，"中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云表示，"我們為eNVM平臺能提供滿足客戶多元化芯片設計的有效解決方案感到自豪。中芯國際的差異化戰略已證實，我們的成熟技術能為客戶帶來附加價值，期望未來為公司創造可持續的增長和盈利。"