Cortex-M4核Kinetis平臺的電容式觸摸鍵盤設計
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3．2 TSI模塊自校準
TSI模塊初始化之后，要實現電容式感應觸摸的檢測，還需要對TSI模塊進行電容值的校準，采樣正常無手指觸摸情況下的電容量即內部計數器的計數值，將其與自定義的死區值進行相加和相減之后分別存入閾值寄存器的高部分和低部分，以此作為標準檢測電極電容變化區間，當電容量的變化處于死區區間內時，不會觸發越界中斷，當電容量超出閾值寄存器的范圍時(包括低于閾值寄存器的低部分或者高于閾值寄存器的高部分)自動觸發越界中斷，具體校準流程如圖7所示。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/176416.htm
3．3 TSI模塊中斷服務處理
由圖5所示TSI模塊的編程框圖可知，TSI模塊有多種中斷方式，包括錯誤中斷、超時中斷、掃描結束中斷和越界中斷，在K60 MCU內部中斷機制里，它們共享99號中斷向量。本系統設計采用越界中斷，即正常情況下不占用CPU資源，只有當手指觸摸造成電容量超出死區區間時才觸發越界中斷，進入相應的中斷服務函數進行電容式觸摸按鍵響應處理。根據表1所示通道組合識別出具體觸摸按鍵號，實現觸摸鍵盤的輸入，具體中斷服務流程如圖8所示。
另外，針對一些更加復雜的電容式觸摸動作，如旋轉、滑動等應用，飛思卡爾公司免費提供了強大的觸摸感應軟件庫(即TSS庫)和開發生態系統的支持，可以直接應用在飛思卡爾Kinetis平臺上，不僅縮短了工程開發周期而且也增加了系統的穩定性。
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