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先進嵌入式DC-DC轉換器的要求

作者: 時間:2011-12-21 來源:網絡 收藏
如圖2所示的功率級可采用不同方式設計,以同時獲得最佳電氣性能和熱性能。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/178180.htm

  

  1.帶驅動器和MOSFET的分立式解決方案現在仍在普遍使用。為滿足所有設計,現在飛兆半導體提供的采用小尺寸熱性能增強型MLP(QFN) 封裝的產品,可獲得高系統性能。MOSFET實現了首先采用MLP封裝(見圖3所示)。其Power56和Power33產品系列采用最新的PowerTrench技術,能夠同時提供超低RDSon 和低Qg,從而適用于高開關頻率應用。鍵合技術可減小封裝的電感 ,提高封裝有限的ID ,適用于大電流應用。其低端FET產品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管 ,在實現高開關性能的同時降低了熱耗。

  

  FDMS9600S在一個不對稱的Power56封裝內集成了一個高端FET和一個低端SyncFET,可進一步提高熱性能,并實現小尺寸的緊湊型PCB設計 (圖4)。

  

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