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電源控制芯片中的過流保護設計

作者: 時間:2011-08-15 來源:網絡 收藏

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/178755.htm

圖11 閉環總體仿真波形
圖11 閉環總體仿真波形

  3 結論

  本文闡述了幾種過流檢測方法,分析了每種方法的優缺點。了一款閉環型的過流電路,它采用直接檢測LDMOS 管漏端電壓的方法,可以克服采用電阻檢測時消耗能量,容易發熱的缺點,同時提高了開關DC/DC 的能量轉換效率。另外,采取有比采樣電路,克服了工藝偏差的影響,提高了采樣精度。

  基于3μm高壓BCD 工藝,我們在Cadence 環境中利用電路模擬器Spectre 對該電路進行了分模塊和整體模塊的仿真,結果表明該電路可以較好地實現實時過流功能。



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