有源箝位技術的PC電源設計
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1．5 輸出濾波電容的計算和設計
輸出濾波電容要考慮工作頻率，紋波大小，電容的ESR及ESL，由于有源箝位工作在200kHz之下，又考慮到成本，所以必須選擇優質的低ESL及ESR鋁電解電容，減小每個電容的容量，增加并聯電容的數量，由于工作頻率的提升已經比67．5kHz的方案少用一半容量的電容，因此上策是數量不變，減小單個容量，大約減一半左右。
這是最小的限定值，實際應該參照ESR、ESL大約加出50～80％，應對負載的變化，限制瞬態電壓不超過3％，則有：
為了減小噪聲，在電解電容的最終點要加入一支瓷片電容消除噪聲，容量為10μF左右。
1．6 功率變壓器的設計
功率變壓器的設計計算與硬開關狀態的計算方法完全一致，再測出Lm，Lr。接入電路后，先串入外部電感Lr，調好功率MOS的ZVS狀態后，取下外串電感Lr，加入氣隙達到與試驗相同的主功率MOS的ZVS狀態，記錄此時變壓器的Lm及Lr，以上即為設計結果。變壓器的導線切記f=200kHz，而不能選擇d超過0．27mm的導線。大電流時宜選擇銅箔，銅箔應縱向切開縫隙減少渦流損耗。在磁芯磁密選擇時考慮到200kHz頻率，B值不宜超過2200高斯。
2 箝位電容MOS及相關元件的設計
變壓器驅動法，IC驅動法可參考L6384的驅動設計。
對于箝位電路，核心是令變壓器磁芯完全復位，使其工作在第I和第Ⅲ象限，這里主要按伏秒積考慮。
箝位電容較大時，主功率MOS耐壓可以降低，箝位電容較小時，變壓器復位時間較長，按工作頻率及主功率MOS的波形，做最后調試決定。
3 功耗計算及效率預估
3．1 主功率及箝位MOSFET的功耗
選定主功率MOS之后，查出其RSDON，工作在ZVS狀態，主要功耗為導通損耗。
但是其Coss充放電造成的諧振損耗是拿不掉的，應該計算。其計算式為：
式中，VCL為箝位電容上的電壓最高值。驅動損耗的發熱在驅動器部分不在MOS上。實際上因為達不到絕對的零開關損耗，實際損耗比上述計算值要大出10％左右。
箝位MOS的功耗更難于計算，可按主功率MOS功耗的30％來估算。
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