晶體硅太陽電池減反射膜的研究
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根據資料和實際經驗，從以上幾組實驗中找出了一些實驗效果比較好的參數，然后共得到8組優化參數，這8組實驗做完之后，再用1：5的氫氟酸對制得薄膜進行腐蝕，實驗具體參數如表3，實驗結果如表4。本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/178831.htm
圖5～圖8給出實驗結果。采用平板式PECVD法制備氮化硅薄膜時，沉積條件對氮化硅薄膜特性的影響如下：
(1)壓強主要對折射率和腐蝕速率有影響：隨著壓強的升高(見圖5)，折射率上升而腐蝕速率下降(見圖6)。壓強增大時，膜的均勻性下降(見圖7)。
(2)功率主要對膜厚和膜厚差有影響：隨著功率的增大，膜厚增大而膜厚差下降(見圖8)。
(3)流量比主要對折射率、膜厚和膜厚差都有影響：隨著流量比的升高，折射率下降而膜厚和膜厚差都是先升后降(見圖8)。
(4)溫度對薄膜的各個參數影響都不大。溫度上升，折射率增大(見圖5)，腐蝕速度下降(見圖6)。
4 結語
經過實驗分析，在溫度為430℃，壓強為2．1×10-1mbar，功率為3 200 W，流量比為3．07，制備的薄膜具有良好特性，是制作減反射膜的良好的方案。
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