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用于以太網物理層時鐘同步PLL的VCO設計

作者: 時間:2011-03-31 來源:網絡 收藏

4 仿真結果
該電路的電源電壓為2.5 V,使用Spectre仿真工具,電路得到的輸出頻率與控制電壓特性曲線和相噪特性曲線結果如圖4和圖5所示。圖4為的輸出相位噪聲曲線,可見低頻的1/f噪聲得到了很好地抑制。在偏離中心頻率600 kHz處的相位噪聲為-108 dBc/Hz。圖5為的輸出頻率與控制電壓特性曲線表明,VCO的控制電壓調節范圍是0.6~2.0 V,線性區頻率覆蓋范圍是60~480 MHz,壓控增益為300 MHz/V,滿足了層芯片的頻率要求。表1給出了整個VCO的性能參數指標。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/179290.htm

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5 結語
本文了一個適層芯片的高寬帶低噪聲VCO,采用了具有良好抗噪能力的交叉耦合電流饑餓型差分環形振蕩器。仿真結果表明,在同樣輸入噪聲和環境噪聲的情況下,本文的VCO中心頻率為250MHz時,壓控增益線性區頻率覆蓋范圍是60~480MHz,在偏離中心頻率600 kHz處的相位噪聲為-108 dBc/Hz,較文獻中傳統的反相器延遲單元的環形VCO性能有明顯的改善。說明了改進后的電路具有較寬的頻率調節范圍,較好的線性度和較低的相位噪聲,完全滿足層芯片的性能要求。


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