IGBT強驅動電路的設計
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改進電路部分所加器件可以看成一個可變電阻：這個電阻在脈沖上升沿開始到IGBT彌勒平臺時(t0～t2)，電阻值是很小的，主要是充電電流從加速電容這條支路流過，從而不斷加快對IGBT門極電容的充電。IGBT的彌勒平臺這段時間內，隨著電容上電壓升高，其充電電流速率在逐漸減小，到彌勒平臺結束時，其充電電流速率為零，充電電流達到最大。這個可以從門極電阻上電壓波形得到證實。在上升沿結束(t3)時，充電電流減小到幾乎為零，從而不會出現過沖尖峰。在加速電容前加一個反向二極管阻斷其快速放電通道。圖3是原始的驅動波形圖；圖4為附加電路驅動波形；圖5為滿負載時驅動波形圖。
2 驅動電路改進方法分析
圖1中用框標出的電路就是對原有驅動電路的改進。通過在門極增加穩壓管、二極管、電容和電阻，可以較好地吸收上升沿、下降沿和尖峰。
由圖3和圖4比較可以看出，在較小延時的情況下，應把尖峰減到最小。從圖3可以看出，要減小的尖峰主要是負脈沖后沿的過沖尖峰，因為這個尖峰極有可能達到IGBT的開啟電壓(Vth)，這樣就會造成同一橋臂的兩個IGBT直通；同時由圖5可以看出，在滿負載(600 V／30 A)狀態下，驅動波形具有很好的穩定性，而且沒有大的尖峰，這就保證了IGBT穩定、安全的工作。
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