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晶體硅太陽電池擴散氣氛場均勻性研究

作者: 時間:2009-10-16 來源:網絡 收藏

從表4可看出,廢氣排放口離恒溫區(qū)越遠,即離爐口越近,爐口的方阻片內/片間性改善越好,但廢氣排放的同時也有大量熱能的排放,在排放口區(qū)域聚集的熱能較多,因考慮到爐門的低溫(一般為小于200℃)要求,在一定程度上又限制了排放口到爐門的距離不能太近。所以,生產中廢氣排放口的較佳位置是在一個兩向平衡距離范圍內。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/181202.htm

2.4 排風量大小對爐口性的影響
當進入爐石英管內的工藝氣體總流量一定時,排風量大小的設定直接影響爐內的場壓強變化,而場壓強又與爐內工藝氣體的濃度相關聯(lián).從而影響性,尤其是爐口的均勻性。
通過表5分析爐口片內極差大的具體原因,得到極差大主要是由硅片下半部分方塊電阻大造成的,而這下半部分又與排氣口最近,故采取調小排氣閥開度,增加爐內壓強,間接地增加工藝氣體反應時間,從而改善爐口片內均勻性和片間均勻性。對于穩(wěn)定生產而言,爐內壓強的最佳值是在一定范圍內的,這就要求工藝反應氣體流量與廢氣排放量需保持一個整體平衡。


3 結束語
的主要工藝制作過程包括制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結等,每道工序的相關控制參數都直接或間接地與電性能參數相關聯(lián)。對于擴散工序而言,擴散的均勻性直接體現在硅片形成的P-N結結深差異性上,均勻性好反映出結深差異性小,反之亦然。
而不同的P-N結結深其燒結條件不一樣。從另一方面,同樣的燒結條件生產應用于擴散均勻性好的在制片,其歐姆接觸性能、填充因子等電性能參數一致性好,最終體現在電池的轉換效率一致性的可控性。用實驗方法分析影響電池擴散均勻性的場因素及其工藝調節(jié)優(yōu)化改善方法,在工藝調試過程中需要注意這些氣氛場因素是相互關聯(lián)影響的,一般先優(yōu)化改善均流板的均勻分流設計和廢氣排放位置因素,再綜合工藝氣體流量、排氣量等其他相關因素系統(tǒng)調整爐內壓強平衡。通過擴散均勻性的優(yōu)化調節(jié)。可以很好地改善太陽電池的填充因子FF、并聯(lián)電阻Rsh、串聯(lián)電阻Rs和開路電壓Ucc等電性能,從而降低電池的制造成本。


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