眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎器件由于其優越性能得到了廣泛的應用。但是目前使用的場效應管存在兩個被學術界稱為PN結的結構。正常工作時源極和襯底間的PN結始終處于正向導通狀態，所以在一般情況下，場效應管的源極和襯底是連接在一起的，由此源極和襯底間的PN結并沒有在電路中起作用。

　　據相關研究人員介紹，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為單PN結的新型基礎電子器件。

　　他們據此提出了一項專利申請，制造一種只有一個PN結的場效應管，能夠完全取代現有結構的場效應管、簡化場效應管的結構、降低成本并提高集成度。

　　相關研究人員表示，“單PN結場效應管只需改變相應設計，完全能夠在現有標準的CMOS生產線上成功制造出來，希望能夠有設計和制造伙伴與我們進行對接，盡快向產業化推進。”